金金jj
2021-10-25 11:37:19
感謝(xie)分享
@炮哥：
東(dong)(dong)尼電(dian)子(zi)：根據山東(dong)(dong)天岳招股(gu)說明書描述：“碳化硅晶體中最重要(yao)的結晶缺陷(xian)之一(yi)是(shi)微管，降低微管密度是(shi)碳化硅產業化應用的重要(yao)技術方向，國際領(ling)先(xian)的碳化硅企(qi)業可以將微管密度穩(wen)定(ding)(ding)地控制在(zai) 1cm2以下”，山東(dong)(dong)天岳小于0.5/cm2。根據東(dong)(dong)尼電(dian)子(zi)定(ding)(ding)增(zeng)回(hui)復：“東(dong)(dong)尼電(dian)子(zi)碳化硅微管位(wei)錯（密度）小于0.2/cm2”，山東(dong)(dong)天
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