九云
2024-03-04 10:51:19
謝(xie)謝(xie)
@黑暗中的堅持：
最(zui)新消(xiao)息面(mian)：IT之家 3 月 4 日消(xiao)息，據(ju) TheElec，三星(xing)正(zheng)在考慮在其下一代(dai) DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術(shu)。三星(xing)最(zui)近測(ce)試(shi)了一種用于(yu) 3D 堆棧(zhan) (3DS) 內存的(de) MR MUF 工藝(yi)，與(yu) TC NCF 相其吞(tun)吐量有所提升，但物理(li)特性卻出(chu)現了一定惡化(hua)。經過測(ce)試(shi)，該(gai)公(gong)司得出(chu)結論，MUF
19
贊同-5 評論
聲明：文章觀點來自網友，僅為作者個人研究意見，不代表韭研公社觀點及立場，站內所有文章均不構成投資建議，請投資者注意風險，獨立審慎決策。
工分
0.02
轉發
收(shou)藏
投(tou)訴
復制鏈接
分享到(dao)微(wei)信
有用 0
打賞作者
無用
真知無價，用錢說話
0個人打賞
同時轉發
暫無數據