特別提(ti)示:下文涉及的(de)題材或公司(si),內(nei)容羅(luo)列和篇幅長(chang)(chang)(chang)短,與(yu)后續漲跌(die)無關,亦(yi)均非進行推(tui)薦,僅(jin)作研究輔助。投資者應自主決策,注意風險(xian)。 一、市場熱點 存儲:高(gao)價(jia)值(zhi)DRAM需(xu)求(qiu)(qiu)持(chi)續增(zeng)長(chang)(chang)(chang) ◇驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong):2025年8月21日盤中(zhong)媒(mei)體報道(dao),AI驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)以HBM3E和高(gao)容量DDR5為代表(biao)的(de)高(gao)價(jia)值(zhi)DRAM需(xu)求(qiu)(qiu)持(chi)續增(zeng)長(chang)(chang)(chang),以及二季(ji)(ji)(ji)度存儲原廠EOL通知刺激傳統DDR4/LPDDR4X價(jia)格(ge)與(yu)需(xu)求(qiu)(qiu)快速攀升的(de)雙(shuang)重驅(qu)(qu)動(dong)(dong)(dong)下,2025年二季(ji)(ji)(ji)度全球DRAM市場規(gui)模環(huan)比(bi)增(zeng)長(chang)(chang)(chang)20%至321.01億美元,創歷史季(ji)(ji)(ji)度新(xin)高(gao)。 ◇定(ding)制化DRAM:機構表(biao)示,