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伏白的交易筆記
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伏白的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-10 21:32:36
機器人(ren)輕量化材料:鋁鎂合金產業及(ji)個(ge)股梳理
一. 鋁(lv)鎂(mei)(mei)合(he)(he)金概覽 鋁(lv)鎂(mei)(mei)合(he)(he)金是一種以鋁(lv)為基體、鎂(mei)(mei)為主(zhu)要添加(jia)(jia)元(yuan)素(含量8%-12%),并添加(jia)(jia)錳、硅(gui)、鋅(xin)、鉻等(deng)(deng)微量元(yuan)素的輕量化(hua)合(he)(he)金材料。 (1)核心特性(xing):密度小、強(qiang)(qiang)度高、散熱(re)(re)性(xing)能優(you)異、抗電磁干擾性(xing)強(qiang)(qiang)、加(jia)(jia)工(gong)性(xing)好、成本可控。 (2)制備工(gong)藝:熔煉法(主(zhu)流工(gong)藝,包括熔煉、鑄造、熱(re)(re)處(chu)理(li)等(deng)(deng)步(bu)驟)、粉末(mo)冶金法、表面改(gai)性(xing)法等(deng)(deng)。 (3)產品(pin)形態:可通過(guo)冷(leng)軋(ya)(ya)、熱(re)(re)軋(ya)(ya)、沖壓、鍛造等(deng)(deng)工(gong)藝制成板材、型材、管材、鍛件;且(qie)焊接(jie)性(xing)能優(you)異,適(shi)合(he)(he)復雜結構成型。 (4)分類(lei):5系(xi)鋁(lv)鎂(mei)(mei)合(he)(he)金(僅添加(jia)(jia)鎂(mei)(mei),耐腐蝕性(xing)強(qiang)(qiang))、6系(xi)鋁(lv)鎂(mei)(mei)硅(gui)合(he)(he)金(添加(jia)(jia)鎂(mei)(mei)和
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星源卓鎂
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寶武鎂業
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伏(fu)白(bai)的交易(yi)筆記
買買買的機構
2025-09-09 20:36:50
固態電池骨架膜(mo):陶瓷隔膜(mo)廠商梳理
一. 鋰電池(chi)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo) 傳(chuan)統鋰電池(chi)由正極(ji)(ji)、負(fu)極(ji)(ji)、隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)、電解液(ye)四大部分(fen)組成;隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)位于正極(ji)(ji)與負(fu)極(ji)(ji)之(zhi)間,通常(chang)為(wei)多孔(kong)結構絕緣薄膜(mo)。 1.1 作用(yong) (1)物理隔(ge)(ge)(ge)離(li)(li):隔(ge)(ge)(ge)絕正負(fu)極(ji)(ji)電子傳(chuan)導,防止(zhi)短路。 (2)離(li)(li)子通道(dao):為(wei)鋰離(li)(li)子遷移提供通道(dao);高溫下閉(bi)孔(kong)或(huo)熔斷,防止(zhi)熱失控。 1.2 分(fen)類 (1)聚(ju)烯(xi)烴類隔(ge)(ge)(ge)膜(mo):占比90%以(yi)上,如PE隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(濕(shi)法(fa)工藝、性能占優)、PP隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(干法(fa)工藝,成本占優)。 (2)非聚(ju)烯(xi)烴類隔(ge)(ge)(ge)膜(mo):纖維素隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)、芳(fang)綸(lun)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)等。 二. 固態(tai)電池(chi)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo):骨架膜(mo) 固態(tai)電池(chi)以(yi)固態(tai)電解質替代電解液(ye),其兼具離(li)(li)子傳(chuan)導與電極(ji)(ji)隔(ge)(ge)(ge)離(li)(li)
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恩捷股份
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伏白的交易(yi)筆記
買買買的機構
2025-09-08 20:18:01
固態電池增設膠框(kuang)工(gong)藝(yi):UV打印設備廠商梳(shu)理
一(yi). 增量邏(luo)輯 鋰(li)電池由正(zheng)極(ji)材料(liao)、負極(ji)材料(liao)、隔(ge)(ge)膜(mo)、電解(jie)液四大部分組成; 隔(ge)(ge)膜(mo)位(wei)于(yu)(yu)正(zheng)負極(ji)之間,通常為(wei)多(duo)孔結(jie)構絕(jue)緣薄膜(mo),用于(yu)(yu)隔(ge)(ge)絕(jue)正(zheng)負極(ji),并提供鋰(li)離(li)子遷移(yi)通道(dao)。 全固(gu)態(tai)電池沒有隔(ge)(ge)膜(mo),采(cai)用疊片工藝(yi)層疊正(zheng)極(ji)、固(gu)態(tai)電解(jie)質、負極(ji),并通過等靜(jing)壓工藝(yi)確保界面緊(jin)密接(jie)觸(chu)。 這一(yi)過程中,高壓壓合易導(dao)致極(ji)片邊緣塌陷(xian),引(yin)發短(duan)路風險;為(wei)解(jie)決該問題,目前技(ji)術方向是(shi)對(dui)極(ji)片做絕(jue)緣封(feng)裝,增設膠(jiao)框隔(ge)(ge)離(li)。 二. UV打印(yin)(yin)工藝(yi) 膠(jiao)框印(yin)(yin)刷(shua)(shua)工藝(yi)主要分為(wei)絲(si)網印(yin)(yin)刷(shua)(shua)、鋼網印(yin)(yin)刷(shua)(shua)、UV打印(yin)(yin)、涂膠(jiao)/點膠(jiao)。 UV打印(yin)(yin)憑借激光(guang)輔助(zhu)的高精(jing)度(du)和自動化優勢(shi),可實現
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德龍激光
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伏白(bai)的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-07 16:13:13
固態(tai)電池硫化(hua)物(wu)路線:硫化(hua)鋰、電解質及(ji)固態(tai)廠商梳理
一. 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)池(chi)組成 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)池(chi)是一種(zhong)以(yi)固(gu)態(tai)電(dian)(dian)解質替代傳統電(dian)(dian)解液和(he)隔(ge)(ge)膜的新(xin)型鋰(li)(li)(li)(li)電(dian)(dian)池(chi),具有能量密度(du)高(gao)、安全性強、循(xun)環壽命(ming)長等優(you)勢(shi),主(zhu)要組成: (1)正極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)材(cai)料:充電(dian)(dian)時(shi)(shi)鋰(li)(li)(li)(li)離子脫(tuo)出(chu),放電(dian)(dian)時(shi)(shi)鋰(li)(li)(li)(li)離子嵌入;包括磷酸鐵(tie)鋰(li)(li)(li)(li)、高(gao)鎳(nie)三(san)元、富鋰(li)(li)(li)(li)錳基。 (2)負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)材(cai)料:充電(dian)(dian)時(shi)(shi)儲存(cun)鋰(li)(li)(li)(li)離子,放電(dian)(dian)時(shi)(shi)釋(shi)放鋰(li)(li)(li)(li)離子;包括石(shi)墨負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、硅基負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、金屬鋰(li)(li)(li)(li)負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。 (3)固(gu)態(tai)電(dian)(dian)解質:傳導鋰(li)(li)(li)(li)離子并(bing)物理隔(ge)(ge)絕正負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji);包括氧(yang)化物、硫化物、聚(ju)合(he)物三(san)大路線。 (4)復合(he)集(ji)流體:收集(ji)并(bing)傳導電(dian)(dian)流;包括鋁箔(正極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))、銅箔(負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))。 (5)封裝材(cai)料:隔(ge)(ge)絕水氧(yang)、保(bao)護(hu)電(dian)(dian)芯
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贛鋒鋰業
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恩捷股份
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當升科技
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伏白的交(jiao)易筆記
買買買的機構
2025-09-06 20:14:08
鋰(li)電池電解液:六氟(fu)磷酸鋰(li)產業及個股梳理
前言:終端(duan)需(xu)求旺盛、行(xing)業新增產能(neng)有限,8月(yue)以來(lai),六(liu)氟磷(lin)酸(suan)(suan)鋰(li)(li)(li)價格(ge)經歷兩輪上漲(zhang),從(cong)5萬元/噸(dun)漲(zhang)至(zhi)5.8萬元/噸(dun)。 一(yi). 電解(jie)液組(zu)成(cheng) 鋰(li)(li)(li)電池由正極(ji)材料、負(fu)極(ji)材料、隔膜(mo)、電解(jie)液四大核心材料組(zu)成(cheng)。 電解(jie)液是鋰(li)(li)(li)離(li)子(zi)(zi)傳輸(shu)介(jie)質,當電池充(chong)放電時,鋰(li)(li)(li)離(li)子(zi)(zi)通過電解(jie)液在正負(fu)極(ji)之(zhi)間遷移,其(qi)主要組(zu)成(cheng)包括: (1)鋰(li)(li)(li)鹽(yan):電解(jie)液的鋰(li)(li)(li)離(li)子(zi)(zi)來(lai)源,主流品種為六(liu)氟磷(lin)酸(suan)(suan)鋰(li)(li)(li)(LiPF?)。 (2)溶(rong)劑(ji):負(fu)責溶(rong)解(jie)鋰(li)(li)(li)鹽(yan),主流品種為碳酸(suan)(suan)酯類(EC/DMC/DEC)。 (3)添加劑(ji):優化電解(jie)液性能(neng),如(ru)成(cheng)膜(mo)劑(ji)、阻燃(ran)劑(ji)、過充(chong)保(bao)護(hu)添加劑(ji)。 二. 六(liu)氟磷(lin)
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天賜材料
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多氟多
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伏白的交易筆記
買買買的機構
2025-09-05 20:22:35
第(di)三代半(ban)導體(ti)材料:碳化硅產業及供(gong)應(ying)格局梳理
前言:據外媒報道,為(wei)提(ti)升(sheng)性能,英偉達擬將Rubin處理器(qi)(qi)CoWoS中階層材料替(ti)換為(wei)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)襯底,臺積電(dian)正推進相關研發。 一. 半(ban)導(dao)(dao)體材料 半(ban)導(dao)(dao)體材料是導(dao)(dao)電(dian)性能介于(yu)導(dao)(dao)體和絕緣體之間(jian)的電(dian)子(zi)材料,按代(dai)際劃分(fen)為(wei)三代(dai): (1)第(di)一代(dai):硅(gui)(gui)、鍺;工藝(yi)成(cheng)熟、成(cheng)本低、適合規模(mo)量(liang)產,用于(yu)分(fen)立器(qi)(qi)件(jian)(jian)、集成(cheng)電(dian)路(邏輯/模(mo)擬/存儲芯片)。 (2)第(di)二代(dai):砷(shen)化(hua)鎵(GaAs)、磷化(hua)銦(InP);光(guang)電(dian)性能卓(zhuo)越,用于(yu)射頻(pin)器(qi)(qi)件(jian)(jian)、光(guang)通信器(qi)(qi)件(jian)(jian)。 (3)第(di)三代(dai):碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(SiC)、氮化(hua)鎵(GaN);耐高(gao)溫、耐高(gao)壓、寬禁帶,用于(yu)高(gao)頻(pin)電(dian)子(zi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)。
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天岳先進
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露笑科技
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伏白的交易筆記
買買買的機構
2025-09-04 20:43:19
固態電池(chi)封裝材料:鋁塑膜產(chan)業及(ji)個股梳理
一(yi). 固(gu)態(tai)(tai)電(dian)(dian)池(chi)組成(cheng) 固(gu)態(tai)(tai)電(dian)(dian)池(chi)是一(yi)種(zhong)以(yi)固(gu)態(tai)(tai)電(dian)(dian)解質替代傳統電(dian)(dian)解液和隔膜(mo)的新型鋰電(dian)(dian)池(chi),具有能量密度高、安(an)全性強、循環壽命長(chang)等優勢,主(zhu)要組成(cheng): (1)正極(ji)(ji)材料:磷酸鐵鋰、三(san)元(yuan)材料、富鋰錳基(ji)。 (2)負(fu)極(ji)(ji)材料:石墨負(fu)極(ji)(ji)、硅基(ji)負(fu)極(ji)(ji)、金屬鋰負(fu)極(ji)(ji)。 (3)固(gu)態(tai)(tai)電(dian)(dian)解質:氧化物(wu)(wu)、硫化物(wu)(wu)、聚(ju)合物(wu)(wu)三(san)大技術(shu)路(lu)線。 (4)復(fu)合集流體:鋁箔(正極(ji)(ji))、銅箔(負(fu)極(ji)(ji))。 (5)封(feng)裝材料:鋁塑膜(mo)(軟(ruan)包(bao)電(dian)(dian)池(chi))、金屬殼(ke)(圓柱/方形電(dian)(dian)池(chi))。 二. 電(dian)(dian)池(chi)封(feng)裝類型 鋰電(dian)(dian)池(chi)根據封(feng)裝類型可分為軟(ruan)包(bao)、圓柱、方形三(san)大類;在(zai)動力電(dian)(dian)池(chi)領域,方形電(dian)(dian)池(chi)占(zhan)比(bi)超
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大東南
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英聯股份
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伏白的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-03 20:50:43
海(hai)內外(wai)需求高增:電化學儲(chu)能產業(ye)及個股梳理
一. 電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學儲(chu)(chu)(chu)能(neng) 電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學儲(chu)(chu)(chu)能(neng)是通過電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池實現(xian)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)存儲(chu)(chu)(chu)與釋放的(de)儲(chu)(chu)(chu)能(neng)技術,核心(xin)是利(li)用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)氧(yang)化(hua)還(huan)原(yuan)反應(ying)(ying)實現(xian)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)與化(hua)學能(neng)的(de)相互(hu)轉換。 作為當前發(fa)展(zhan)最快(kuai)(kuai)、應(ying)(ying)用(yong)最廣的(de)儲(chu)(chu)(chu)能(neng)技術,其具(ju)有響(xiang)(xiang)應(ying)(ying)速(su)度快(kuai)(kuai)、能(neng)量密(mi)度高(gao)(gao)、配置靈活、規(gui)模化(hua)潛(qian)力(li)大(da)等優(you)勢。 1.1 作用(yong) (1)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)網調(diao)峰調(diao)頻:用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)高(gao)(gao)峰釋放電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng),用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)低(di)(di)谷存儲(chu)(chu)(chu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng);快(kuai)(kuai)速(su)充放電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)補償波動,維持電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)網頻率穩定。 (2)新能(neng)源(yuan)消納:配套風(feng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)/光伏電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)站,發(fa)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)高(gao)(gao)峰存儲(chu)(chu)(chu)多(duo)余電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng),低(di)(di)谷釋放,平滑輸出。 (3)備用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)與需求側響(xiang)(xiang)應(ying)(ying):作為戶用(yong)或工商業后(hou)備電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan),并可通過峰谷套利(li)降(jiang)低(di)(di)用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)成本
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陽光電源
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伏白的(de)交易(yi)筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-02 20:53:24
固(gu)態電(dian)池(chi)制(zhi)備:設備端增量環節及(ji)廠(chang)商梳(shu)理(li)
一. 固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)組成(cheng) 固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)是(shi)一種以固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)解(jie)質替代傳統電(dian)(dian)(dian)解(jie)液和隔膜的新型鋰(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi),具有能量密度高、安全性強、循環壽(shou)命長等優勢,主要組成(cheng): (1)正極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao):磷酸鐵鋰(li)、三元材(cai)(cai)料(liao)、富鋰(li)錳基。 (2)負(fu)(fu)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao):石(shi)墨負(fu)(fu)極(ji)(ji)、硅(gui)基負(fu)(fu)極(ji)(ji)、金屬鋰(li)負(fu)(fu)極(ji)(ji)。 (3)固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)解(jie)質:氧(yang)化物(wu)、硫化物(wu)、聚合(he)物(wu)三大路線。 (4)復合(he)集流體:正極(ji)(ji)通常用鋁(lv)(lv)箔、負(fu)(fu)極(ji)(ji)通常用銅箔。 (5)封裝材(cai)(cai)料(liao):鋁(lv)(lv)塑(su)膜(軟包電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi))、金屬殼(ke)(圓柱/方形電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi))。 二. 固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)生產設(she)備 主要步驟:原材(cai)(cai)料(liao)預處理→部件制備→電(dian)(dian)(dian)芯(xin)組裝→電(dian)(dian)(dian)芯(xin)封裝→后處理(化成(cheng)/分容(rong))
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先導智能
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伏白的(de)交易筆記(ji)
買買買的機構
2025-09-01 21:48:12
谷歌Na-no Ba-n-a-na出圈:消(xiao)費級3D打印產業(ye)及(ji)個股梳(shu)理
前言:谷歌近期推出(chu)AI圖像模型Nano Banana,可(ke)將傳統2D圖像重構(gou)為3D空間,為玩家(jia)創意(yi)落地(di)提供靈(ling)活高(gao)(gao)效工(gong)具。 一. 消費(fei)級(ji)3D打(da)(da)印 3D打(da)(da)印也稱為增材制造,是一種以數字模型為基礎(chu),通過逐層添(tian)加材料、分層制造的方式來構(gou)建三(san)維物體的技術(shu)。 消費(fei)級(ji)3D打(da)(da)印主要面向個(ge)人用(yong)戶、小型工(gong)作室,廣(guang)泛應(ying)用(yong)于手辦(ban)潮玩、家(jia)居裝飾(shi)、教學(xue)模型等領域。 其核心特(te)點(dian)是低成(cheng)(cheng)本、易操作和(he)個(ge)性化(hua)定(ding)制,與工(gong)業級(ji)3D打(da)(da)印的大(da)尺寸、高(gao)(gao)精度、高(gao)(gao)成(cheng)(cheng)本形成(cheng)(cheng)鮮明(ming)區別。 二. 主流技術(shu)分類 2.1 FDM(熔融沉積成(cheng)(cheng)型) (1)特(te)點(dian):最
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家聯科技
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海正生材
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伏白的交易筆記
買買買的機構
2025-08-31 19:32:59
阿里巴(ba)巴(ba)芯片(pian)板塊(kuai):平頭哥、達摩院合作商梳(shu)理
前(qian)言(yan):據(ju)外媒報(bao)道,阿里巴巴正(zheng)開發(fa)一款新的AI芯(xin)片(pian),目前(qian)已進(jin)入測試階段;該芯(xin)片(pian)主要用于AI推理任務(wu),并由國內企業(ye)代工(gong)。 一. 平(ping)頭哥(ge)半導體(ti) 1.1 基本介紹 平(ping)頭哥(ge)成立于2018年,為阿里旗(qi)下全資子公司,其(qi)整(zheng)合了中天(tian)微系統和達摩院芯(xin)片(pian)團隊(dui),專注于高(gao)性能芯(xin)片(pian)研發(fa)與商業(ye)化。 1.2 芯(xin)片(pian)產品(pin) (1)含(han)光800:AI推理芯(xin)片(pian),采用臺(tai)積電(dian)12nm工(gong)藝+170億晶體(ti)管數(shu)量,INT8算(suan)力825TOPS,通(tong)過阿里云(yun)(yun)提供云(yun)(yun)端算(suan)力服務(wu)。 (2)倚天(tian)710:云(yun)(yun)端服務(wu)器CPU,采用臺(tai)積電(dian)工(gong)藝+600億晶體(ti)管數(shu)量+128
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長電科技
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中芯國際
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旋極信息
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伏(fu)白(bai)的交易筆記(ji)
買買買的機構
2025-08-30 20:13:12
英偉達算力芯片(pian)分類:國內(nei)對(dui)標廠商(shang)梳理
一. 英(ying)偉達消費級GPU 1.1 代表型號(GeForce系列(lie)) (1)RTX 40系列(lie):采用Ada Lovelace架構、臺(tai)積電(dian)4N工(gong)藝+760億(yi)晶體(ti)管(guan)數(shu)量、FP32算(suan)力83TFLOPS。 (2)RTX 50系列(lie):采用Blackwell架構、臺(tai)積電(dian)4NP工(gong)藝+920億(yi)晶體(ti)管(guan)數(shu)量、FP32算(suan)力100 TFLOPS。 1.2 應(ying)用場景(jing) 游戲(xi)及(ji)輕量級AI應(ying)用,如4K/8K游戲(xi)、3D渲染、AI繪圖。 1.3 國內對標 摩爾(er)線程(MTT S80)、礪算(suan)科(ke)技(7G106/東芯(xin)股份)、景(jing)嘉(jia)微(JM9)、天(tian)數(shu)
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寒武紀
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海光信息
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伏白的交易筆記
買買買的機構
2025-08-28 21:40:31
功率半導體(ti):MOSFET/IGBT供應格局梳(shu)理
一. 功率半(ban)導(dao)體(ti) 功率半(ban)導(dao)體(ti)是用(yong)(yong)于電(dian)(dian)(dian)能(neng)轉(zhuan)(zhuan)換、控制和保護(hu)的半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件,用(yong)(yong)于高(gao)電(dian)(dian)(dian)壓、大(da)電(dian)(dian)(dian)流(liu)場(chang)景(jing),是電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子(zi)系(xi)統(tong)的核心(xin)。 1.1 作用(yong)(yong) (1)電(dian)(dian)(dian)能(neng)轉(zhuan)(zhuan)換:AC-DC(交(jiao)流(liu)轉(zhuan)(zhuan)直(zhi)流(liu))、DC-DC(直(zhi)流(liu)轉(zhuan)(zhuan)直(zhi)流(liu))、DC-AC(直(zhi)流(liu)轉(zhuan)(zhuan)交(jiao)流(liu))、AC-AC(交(jiao)流(liu)轉(zhuan)(zhuan)交(jiao)流(liu))。 (2)電(dian)(dian)(dian)能(neng)控制:通過(guo)控制器(qi)件的導(dao)通/關斷狀態,實(shi)現對電(dian)(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)(dian)流(liu)、頻率的精準調(diao)控。 (3)電(dian)(dian)(dian)路(lu)保護(hu):電(dian)(dian)(dian)路(lu)出現異常(如過(guo)流(liu)/過(guo)壓/短路(lu))時,可快速(su)關斷,防止設備(bei)損壞(huai)。 1.2 分類 (1)一代(dai):二極管(低壓領域(yu))、晶閘管(高(gao)壓領域(yu));由簡單(dan)的PN結組成
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斯達半導
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揚杰科技
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伏白(bai)的交易筆記
買買買的機構
2025-08-27 20:10:27
受益端(duan)側AI放(fang)量:無(wu)線通信模(mo)組廠商梳理
一(yi). 無(wu)線通(tong)信模(mo)組 無(wu)線通(tong)信模(mo)組是一(yi)種標準化(hua)硬件模(mo)塊,通(tong)過集成通(tong)信芯片(pian)、存(cun)儲(chu)單(dan)元(yuan)(yuan)、接口(kou)等關(guan)鍵組件,為終端(duan)設備提供(gong)標準化(hua)的無(wu)線數(shu)(shu)據(ju)傳輸(shu)能力。 1.1 核心組成 (1)基帶(dai)芯片(pian):負(fu)責信號(hao)編解碼(ma)、協議棧處理(如TCP/IP、MQTT)。 (2)射頻芯片(pian):實現無(wu)線信號(hao)收(shou)發(fa)與功(gong)率放大,包(bao)括PA、濾波器。 (3)存(cun)儲(chu)單(dan)元(yuan)(yuan):存(cun)儲(chu)協議棧與臨時數(shu)(shu)據(ju),包(bao)括Flash(程序(xu)存(cun)儲(chu))、RAM(數(shu)(shu)據(ju)緩存(cun))。 (4)電源管(guan)理模(mo)塊:提供(gong)穩定電壓,并(bing)優化(hua)功(gong)耗。 (5)接口(kou)單(dan)元(yuan)(yuan):提供(gong)UART、SPI、I2C等接口(kou),便于與主控(kong)芯片(pian)(
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伏(fu)白的交易(yi)筆(bi)記
買買買的機構
2025-08-26 21:14:28
手(shou)機(ji)屏幕抗反射(she)涂(tu)層:超硬AR鍍膜廠商梳理
前(qian)言:據外媒報道,蘋果公(gong)司即將發布(bu)的iPhone 17 Pro/Pro Max將首(shou)次搭載超硬(ying)AR鍍膜。 一. 超硬(ying)AR鍍膜概(gai)覽(lan) 超硬(ying)AR鍍膜是一種通(tong)過多層納(na)米級光學(xue)薄(bo)膜干涉技術(shu)實現的表面處理技術(shu),目標是減少(shao)反射(she)、提(ti)升(sheng)透(tou)光率,同時增強(qiang)材料硬(ying)度(du)和耐磨性。 1.1 性能(neng)優勢 (1)光學(xue)性能(neng):反射(she)率從普(pu)(pu)通(tong)玻璃(li)的4%降至1%以下,透(tou)光率從92%提(ti)升(sheng)至98%,強(qiang)光環境下可視性提(ti)升(sheng)3倍。 (2)機械性能(neng):莫(mo)氏硬(ying)度(du)從普(pu)(pu)通(tong)玻璃(li)的5-6級提(ti)升(sheng)至7-9級,抗刮性提(ti)升(sheng)50%以上,可抵御日(ri)常(chang)磨損。 1.2 組成結構(多層
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伏白(bai)的交易筆記
買買買的機構
2025-09-10 21:32:36
機器(qi)人輕量化材料:鋁鎂合金產業及(ji)個股(gu)梳(shu)理
一(yi). 鋁(lv)鎂(mei)合金概覽 鋁(lv)鎂(mei)合金是一(yi)種以鋁(lv)為基體、鎂(mei)為主(zhu)要(yao)添(tian)加元素(含量(liang)8%-12%),并添(tian)加錳(meng)、硅(gui)、鋅、鉻等微量(liang)元素的輕量(liang)化合金材(cai)(cai)料。 (1)核心(xin)特性(xing):密度小(xiao)、強度高、散熱性(xing)能(neng)優(you)(you)異(yi)、抗電磁干擾性(xing)強、加工性(xing)好、成本可控。 (2)制備工藝:熔煉法(fa)(主(zhu)流工藝,包括熔煉、鑄造、熱處理(li)等步驟)、粉末冶金法(fa)、表面改性(xing)法(fa)等。 (3)產品形態:可通過(guo)冷軋、熱軋、沖壓、鍛造等工藝制成板材(cai)(cai)、型材(cai)(cai)、管材(cai)(cai)、鍛件(jian);且焊接性(xing)能(neng)優(you)(you)異(yi),適(shi)合復雜(za)結構(gou)成型。 (4)分(fen)類:5系鋁(lv)鎂(mei)合金(僅(jin)添(tian)加鎂(mei),耐腐蝕性(xing)強)、6系鋁(lv)鎂(mei)硅(gui)合金(添(tian)加鎂(mei)和
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星源卓鎂
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寶武鎂業
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伏白的交(jiao)易筆記
買買買的機構
2025-09-09 20:36:50
固態電池(chi)骨架膜(mo):陶瓷(ci)隔膜(mo)廠商梳理
一(yi). 鋰(li)電(dian)(dian)(dian)池隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo) 傳(chuan)統鋰(li)電(dian)(dian)(dian)池由正極(ji)、負極(ji)、隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)、電(dian)(dian)(dian)解液四大部分組(zu)成(cheng);隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)位(wei)于正極(ji)與(yu)負極(ji)之間,通(tong)常為多孔結構絕(jue)緣薄膜(mo)(mo)(mo)。 1.1 作用 (1)物理隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li):隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)絕(jue)正負極(ji)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)傳(chuan)導,防止(zhi)短路。 (2)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)通(tong)道:為鋰(li)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)遷移提供通(tong)道;高(gao)溫(wen)下閉孔或(huo)熔(rong)斷,防止(zhi)熱失(shi)控。 1.2 分類(lei) (1)聚烯(xi)烴類(lei)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo):占比90%以(yi)上,如(ru)PE隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(濕法(fa)工藝(yi)、性能占優(you))、PP隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(干法(fa)工藝(yi),成(cheng)本占優(you))。 (2)非聚烯(xi)烴類(lei)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo):纖維素隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)、芳綸隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)等。 二(er). 固態(tai)電(dian)(dian)(dian)池隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo):骨架膜(mo)(mo)(mo) 固態(tai)電(dian)(dian)(dian)池以(yi)固態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質替(ti)代電(dian)(dian)(dian)解液,其兼具離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)傳(chuan)導與(yu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)
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恩捷股份
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伏(fu)白的(de)交易筆記
買買買的機構
2025-09-08 20:18:01
固態電(dian)池(chi)增設(she)膠框工藝:UV打印設(she)備廠(chang)商梳理
一. 增(zeng)量邏(luo)輯(ji) 鋰電(dian)(dian)池由正極(ji)(ji)材料(liao)(liao)、負(fu)(fu)極(ji)(ji)材料(liao)(liao)、隔(ge)膜、電(dian)(dian)解液(ye)四大部分組(zu)成; 隔(ge)膜位于(yu)正負(fu)(fu)極(ji)(ji)之間(jian),通常為多孔結構絕(jue)緣(yuan)薄膜,用(yong)于(yu)隔(ge)絕(jue)正負(fu)(fu)極(ji)(ji),并提供鋰離子遷移通道。 全固(gu)態電(dian)(dian)池沒有隔(ge)膜,采用(yong)疊片(pian)工藝層疊正極(ji)(ji)、固(gu)態電(dian)(dian)解質、負(fu)(fu)極(ji)(ji),并通過等(deng)靜(jing)壓工藝確保(bao)界面(mian)緊密(mi)接觸。 這一過程中,高壓壓合(he)易(yi)導致極(ji)(ji)片(pian)邊緣(yuan)塌陷,引發(fa)短路風(feng)險;為解決該(gai)問題,目(mu)前技(ji)術(shu)方向是對極(ji)(ji)片(pian)做絕(jue)緣(yuan)封裝,增(zeng)設(she)膠框(kuang)隔(ge)離。 二. UV打(da)印工藝 膠框(kuang)印刷(shua)工藝主要分為絲(si)網(wang)印刷(shua)、鋼(gang)網(wang)印刷(shua)、UV打(da)印、涂膠/點膠。 UV打(da)印憑借(jie)激光輔(fu)助(zhu)的(de)高精度和自動化優勢,可實現(xian)
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德龍激光
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伏白的交易筆記(ji)
買買買的機構
2025-09-07 16:13:13
固態電池硫化(hua)物路線:硫化(hua)鋰、電解質及固態廠商梳理
一. 固(gu)(gu)態電池組(zu)成(cheng) 固(gu)(gu)態電池是一種以固(gu)(gu)態電解質替(ti)代傳(chuan)統電解液和隔膜的新型(xing)鋰(li)電池,具有能量密度(du)高、安(an)全性(xing)強、循(xun)環(huan)壽命長等優勢,主要組(zu)成(cheng): (1)正(zheng)極(ji)材料:充電時(shi)鋰(li)離子脫出,放電時(shi)鋰(li)離子嵌入;包(bao)括(kuo)(kuo)磷酸鐵(tie)鋰(li)、高鎳(nie)三元、富(fu)鋰(li)錳(meng)基(ji)。 (2)負(fu)(fu)極(ji)材料:充電時(shi)儲存鋰(li)離子,放電時(shi)釋放鋰(li)離子;包(bao)括(kuo)(kuo)石墨負(fu)(fu)極(ji)、硅基(ji)負(fu)(fu)極(ji)、金屬鋰(li)負(fu)(fu)極(ji)。 (3)固(gu)(gu)態電解質:傳(chuan)導(dao)(dao)鋰(li)離子并(bing)物(wu)理隔絕正(zheng)負(fu)(fu)極(ji);包(bao)括(kuo)(kuo)氧(yang)化物(wu)、硫化物(wu)、聚(ju)合物(wu)三大路線。 (4)復合集(ji)流(liu)(liu)體(ti):收集(ji)并(bing)傳(chuan)導(dao)(dao)電流(liu)(liu);包(bao)括(kuo)(kuo)鋁(lv)箔(正(zheng)極(ji))、銅箔(負(fu)(fu)極(ji))。 (5)封裝材料:隔絕水氧(yang)、保護電芯
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贛鋒鋰業
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恩捷股份
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當升科技
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伏白的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-06 20:14:08
鋰電池電解液(ye):六氟磷酸鋰產業及個股梳(shu)理
前言:終(zhong)端需求(qiu)旺(wang)盛、行業新增產能有限(xian),8月以來,六(liu)氟(fu)磷(lin)酸鋰(li)(li)價格經歷(li)兩(liang)輪上漲(zhang),從5萬元/噸(dun)漲(zhang)至5.8萬元/噸(dun)。 一. 電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)組成(cheng) 鋰(li)(li)電(dian)池由(you)正極材料(liao)、負(fu)極材料(liao)、隔膜(mo)、電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)四大核心材料(liao)組成(cheng)。 電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)是鋰(li)(li)離子傳輸介質,當電(dian)池充放電(dian)時(shi),鋰(li)(li)離子通過(guo)電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)在正負(fu)極之間遷移,其主(zhu)(zhu)要組成(cheng)包括: (1)鋰(li)(li)鹽:電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)的鋰(li)(li)離子來源(yuan),主(zhu)(zhu)流(liu)品種(zhong)(zhong)為(wei)六(liu)氟(fu)磷(lin)酸鋰(li)(li)(LiPF?)。 (2)溶(rong)劑:負(fu)責(ze)溶(rong)解(jie)(jie)(jie)鋰(li)(li)鹽,主(zhu)(zhu)流(liu)品種(zhong)(zhong)為(wei)碳酸酯類(EC/DMC/DEC)。 (3)添加劑:優化電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)性能,如成(cheng)膜(mo)劑、阻燃劑、過(guo)充保護(hu)添加劑。 二. 六(liu)氟(fu)磷(lin)
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天賜材料
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多氟多
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伏白的交(jiao)易(yi)筆記
買買買的機構
2025-09-05 20:22:35
第三代半導體(ti)材(cai)料:碳化硅產業及供(gong)應(ying)格局梳理
前言:據外媒報道,為提升性能(neng),英(ying)偉達擬將Rubin處理器CoWoS中階層材(cai)料替換為碳化硅襯底,臺積電正推進(jin)相關研發(fa)。 一(yi). 半導(dao)體材(cai)料 半導(dao)體材(cai)料是導(dao)電性能(neng)介于(yu)導(dao)體和絕(jue)緣體之間的(de)電子(zi)材(cai)料,按代(dai)際劃分(fen)為三(san)代(dai): (1)第一(yi)代(dai):硅、鍺;工藝成(cheng)熟、成(cheng)本低、適合規模(mo)量(liang)產,用于(yu)分(fen)立(li)器件、集(ji)成(cheng)電路(lu)(邏輯/模(mo)擬/存儲芯片)。 (2)第二代(dai):砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP);光(guang)電性能(neng)卓越,用于(yu)射頻器件、光(guang)通(tong)信器件。 (3)第三(san)代(dai):碳化硅(SiC)、氮(dan)化鎵(GaN);耐高溫、耐高壓、寬禁帶,用于(yu)高頻電子(zi)器件。
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天岳先進
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露笑科技
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伏白的交(jiao)易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-04 20:43:19
固態電(dian)池(chi)封裝(zhuang)材料:鋁(lv)塑(su)膜產業及個股梳(shu)理
一(yi). 固(gu)態(tai)電(dian)池組成(cheng) 固(gu)態(tai)電(dian)池是(shi)一(yi)種以固(gu)態(tai)電(dian)解(jie)質(zhi)替代傳統電(dian)解(jie)液和隔膜(mo)的新型(xing)鋰電(dian)池,具有能量密度高、安全(quan)性(xing)強、循(xun)環壽(shou)命(ming)長等優(you)勢,主要組成(cheng): (1)正極(ji)材(cai)料:磷酸(suan)鐵鋰、三(san)元材(cai)料、富鋰錳基。 (2)負極(ji)材(cai)料:石墨負極(ji)、硅基負極(ji)、金屬鋰負極(ji)。 (3)固(gu)態(tai)電(dian)解(jie)質(zhi):氧化物(wu)、硫(liu)化物(wu)、聚(ju)合物(wu)三(san)大(da)技術路線(xian)。 (4)復合集流體:鋁(lv)箔(bo)(正極(ji))、銅箔(bo)(負極(ji))。 (5)封裝材(cai)料:鋁(lv)塑膜(mo)(軟包(bao)電(dian)池)、金屬殼(圓柱(zhu)(zhu)/方形(xing)電(dian)池)。 二(er). 電(dian)池封裝類型(xing) 鋰電(dian)池根據封裝類型(xing)可分(fen)為軟包(bao)、圓柱(zhu)(zhu)、方形(xing)三(san)大(da)類;在動(dong)力電(dian)池領域,方形(xing)電(dian)池占比超(chao)
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大東南
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英聯股份
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伏白的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-03 20:50:43
海內外需(xu)求高(gao)增(zeng):電化學儲(chu)能產業及(ji)個股(gu)梳(shu)理
一. 電(dian)(dian)(dian)化學(xue)儲能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng) 電(dian)(dian)(dian)化學(xue)儲能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)是通(tong)(tong)過電(dian)(dian)(dian)池實現(xian)電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)存(cun)儲與(yu)釋放(fang)的(de)儲能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)技術,核心是利用(yong)電(dian)(dian)(dian)池的(de)氧(yang)化還原反(fan)應(ying)實現(xian)電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)與(yu)化學(xue)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)的(de)相(xiang)互(hu)轉換。 作(zuo)為(wei)(wei)當前發展最快(kuai)、應(ying)用(yong)最廣的(de)儲能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)技術,其具(ju)有(you)響應(ying)速度快(kuai)、能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)量密(mi)度高、配置靈活(huo)、規模(mo)化潛力大等優勢。 1.1 作(zuo)用(yong) (1)電(dian)(dian)(dian)網調峰(feng)調頻:用(yong)電(dian)(dian)(dian)高峰(feng)釋放(fang)電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng),用(yong)電(dian)(dian)(dian)低(di)谷(gu)(gu)存(cun)儲電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng);快(kuai)速充放(fang)電(dian)(dian)(dian)補償波動,維(wei)持電(dian)(dian)(dian)網頻率穩定(ding)。 (2)新能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)源消納:配套風電(dian)(dian)(dian)/光(guang)伏電(dian)(dian)(dian)站(zhan),發電(dian)(dian)(dian)高峰(feng)存(cun)儲多余電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng),低(di)谷(gu)(gu)釋放(fang),平滑輸出。 (3)備用(yong)電(dian)(dian)(dian)源與(yu)需求(qiu)側(ce)響應(ying):作(zuo)為(wei)(wei)戶用(yong)或工商業后備電(dian)(dian)(dian)源,并(bing)可(ke)通(tong)(tong)過峰(feng)谷(gu)(gu)套利降低(di)用(yong)電(dian)(dian)(dian)成本
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陽光電源
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伏白的交易筆記
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2025-09-02 20:53:24
固(gu)態電(dian)池制備:設備端增量環節及廠商梳理
一(yi). 固(gu)(gu)態電(dian)池組(zu)成 固(gu)(gu)態電(dian)池是一(yi)種以固(gu)(gu)態電(dian)解(jie)質替代傳(chuan)統電(dian)解(jie)液(ye)和隔(ge)膜的新型鋰電(dian)池,具(ju)有能量(liang)密度高、安全(quan)性強、循環壽命長等優勢(shi),主要(yao)組(zu)成: (1)正(zheng)極(ji)材(cai)(cai)料(liao):磷酸鐵鋰、三元材(cai)(cai)料(liao)、富(fu)鋰錳(meng)基。 (2)負(fu)極(ji)材(cai)(cai)料(liao):石(shi)墨負(fu)極(ji)、硅基負(fu)極(ji)、金屬鋰負(fu)極(ji)。 (3)固(gu)(gu)態電(dian)解(jie)質:氧化物、硫化物、聚合物三大路線。 (4)復合集流(liu)體(ti):正(zheng)極(ji)通常(chang)(chang)用(yong)鋁箔、負(fu)極(ji)通常(chang)(chang)用(yong)銅箔。 (5)封裝(zhuang)材(cai)(cai)料(liao):鋁塑膜(軟包(bao)電(dian)池)、金屬殼(ke)(圓(yuan)柱/方形電(dian)池)。 二. 固(gu)(gu)態電(dian)池生產設(she)備 主要(yao)步驟(zou):原材(cai)(cai)料(liao)預處(chu)理→部件制備→電(dian)芯組(zu)裝(zhuang)→電(dian)芯封裝(zhuang)→后處(chu)理(化成/分(fen)容)
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先導智能
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2025-09-01 21:48:12
谷(gu)歌(ge)Na-no Ba-n-a-na出圈:消費級3D打印產(chan)業及個股梳理
前言:谷歌近(jin)期(qi)推出(chu)AI圖(tu)像模型(xing)Nano Banana,可將傳(chuan)統2D圖(tu)像重(zhong)構為3D空間,為玩(wan)家(jia)創意(yi)落地提供靈活高(gao)效工(gong)(gong)具。 一(yi). 消費(fei)級3D打(da)印(yin) 3D打(da)印(yin)也稱(cheng)為增材制(zhi)造,是一(yi)種以數字模型(xing)為基(ji)礎(chu),通過逐層添加材料、分層制(zhi)造的(de)方式來構建三維物體的(de)技術。 消費(fei)級3D打(da)印(yin)主要面向個(ge)人用戶、小(xiao)型(xing)工(gong)(gong)作室,廣泛應用于手辦潮玩(wan)、家(jia)居裝飾、教(jiao)學(xue)模型(xing)等領域。 其核心特(te)點是低成(cheng)(cheng)本、易操作和個(ge)性化定制(zhi),與(yu)工(gong)(gong)業級3D打(da)印(yin)的(de)大尺(chi)寸、高(gao)精度(du)、高(gao)成(cheng)(cheng)本形成(cheng)(cheng)鮮明(ming)區別。 二. 主流技術分類 2.1 FDM(熔融沉積成(cheng)(cheng)型(xing)) (1)特(te)點:最
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家聯科技
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海正生材
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2025-08-31 19:32:59
阿里巴巴芯片板塊:平(ping)頭哥(ge)、達(da)摩院(yuan)合(he)作商梳理
前言:據外(wai)媒報道,阿里巴巴正開發一款新的AI芯(xin)片,目前已(yi)進(jin)入測試階(jie)段;該芯(xin)片主要(yao)用于(yu)AI推理任(ren)務,并(bing)由(you)國內企業代工。 一. 平頭(tou)哥半導體(ti)(ti) 1.1 基本介(jie)紹(shao) 平頭(tou)哥成立于(yu)2018年,為阿里旗下全資子公司,其整合了中天微系統和(he)達摩院芯(xin)片團隊,專注于(yu)高性能芯(xin)片研(yan)發與(yu)商業化。 1.2 芯(xin)片產(chan)品(pin) (1)含光800:AI推理芯(xin)片,采用臺積電12nm工藝+170億晶體(ti)(ti)管(guan)數(shu)量(liang),INT8算(suan)力(li)825TOPS,通過阿里云提供(gong)云端(duan)算(suan)力(li)服務。 (2)倚天710:云端(duan)服務器CPU,采用臺積電工藝+600億晶體(ti)(ti)管(guan)數(shu)量(liang)+128
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長電科技
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中芯國際
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旋極信息
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伏白的交易(yi)筆(bi)記
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2025-08-30 20:13:12
英(ying)偉達算力芯片分(fen)類:國內對標(biao)廠商梳理
一. 英偉達消費級GPU 1.1 代(dai)表型號(GeForce系(xi)列) (1)RTX 40系(xi)列:采(cai)用(yong)Ada Lovelace架構(gou)、臺積電4N工藝+760億晶體(ti)管數(shu)量、FP32算力(li)83TFLOPS。 (2)RTX 50系(xi)列:采(cai)用(yong)Blackwell架構(gou)、臺積電4NP工藝+920億晶體(ti)管數(shu)量、FP32算力(li)100 TFLOPS。 1.2 應用(yong)場(chang)景 游戲(xi)(xi)及輕量級AI應用(yong),如(ru)4K/8K游戲(xi)(xi)、3D渲染、AI繪圖。 1.3 國內對標 摩(mo)爾線程(MTT S80)、礪(li)算科技(ji)(7G106/東芯股份)、景嘉微(JM9)、天數(shu)
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寒武紀
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海光信息
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伏白(bai)的交易筆(bi)記
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2025-08-28 21:40:31
功率(lv)半導體:MOSFET/IGBT供應格局梳(shu)理
一. 功(gong)率半(ban)導(dao)體 功(gong)率半(ban)導(dao)體是用于(yu)電(dian)(dian)能轉換、控制(zhi)和保護的(de)半(ban)導(dao)體器件(jian),用于(yu)高電(dian)(dian)壓(ya)、大(da)電(dian)(dian)流(liu)(liu)場(chang)景,是電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子系統(tong)的(de)核心。 1.1 作(zuo)用 (1)電(dian)(dian)能轉換:AC-DC(交(jiao)流(liu)(liu)轉直流(liu)(liu))、DC-DC(直流(liu)(liu)轉直流(liu)(liu))、DC-AC(直流(liu)(liu)轉交(jiao)流(liu)(liu))、AC-AC(交(jiao)流(liu)(liu)轉交(jiao)流(liu)(liu))。 (2)電(dian)(dian)能控制(zhi):通過控制(zhi)器件(jian)的(de)導(dao)通/關斷狀態,實現對電(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)流(liu)(liu)、頻(pin)率的(de)精準調控。 (3)電(dian)(dian)路保護:電(dian)(dian)路出現異常(如過流(liu)(liu)/過壓(ya)/短路)時,可快(kuai)速關斷,防止設備損壞。 1.2 分類 (1)一代:二極管(低(di)壓(ya)領(ling)域)、晶閘管(高壓(ya)領(ling)域);由簡單的(de)PN結(jie)組(zu)成
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2025-08-27 20:10:27
受益端側(ce)AI放(fang)量:無線通信模組(zu)廠商梳理
一. 無線(xian)通(tong)信模(mo)組(zu) 無線(xian)通(tong)信模(mo)組(zu)是一種標準(zhun)化(hua)硬件模(mo)塊,通(tong)過集成通(tong)信芯片、存儲(chu)單(dan)元、接口(kou)等關鍵組(zu)件,為終端設備提(ti)供標準(zhun)化(hua)的無線(xian)數(shu)據(ju)傳輸能力(li)。 1.1 核心組(zu)成 (1)基(ji)帶(dai)芯片:負責(ze)信號編(bian)解(jie)碼(ma)、協議棧處(chu)理(如TCP/IP、MQTT)。 (2)射頻芯片:實現(xian)無線(xian)信號收發與(yu)功率放大,包(bao)括PA、濾(lv)波器。 (3)存儲(chu)單(dan)元:存儲(chu)協議棧與(yu)臨時數(shu)據(ju),包(bao)括Flash(程序存儲(chu))、RAM(數(shu)據(ju)緩存)。 (4)電源管理模(mo)塊:提(ti)供穩(wen)定電壓,并優化(hua)功耗。 (5)接口(kou)單(dan)元:提(ti)供UART、SPI、I2C等接口(kou),便(bian)于與(yu)主控芯片(
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2025-08-26 21:14:28
手機屏幕抗反射涂(tu)層(ceng):超硬AR鍍膜廠商梳理
前言:據外媒報道(dao),蘋果公司即將(jiang)發布的(de)iPhone 17 Pro/Pro Max將(jiang)首次搭載超硬(ying)AR鍍膜。 一. 超硬(ying)AR鍍膜概覽 超硬(ying)AR鍍膜是一種通(tong)過多(duo)(duo)層納米(mi)級光(guang)學薄膜干涉技(ji)術(shu)實現(xian)的(de)表面處理技(ji)術(shu),目標是減少反(fan)(fan)射、提升透光(guang)率,同時增(zeng)強材(cai)料硬(ying)度(du)和耐磨性(xing)。 1.1 性(xing)能(neng)優(you)勢 (1)光(guang)學性(xing)能(neng):反(fan)(fan)射率從普通(tong)玻(bo)璃的(de)4%降至1%以(yi)下,透光(guang)率從92%提升至98%,強光(guang)環境下可視性(xing)提升3倍。 (2)機械性(xing)能(neng):莫(mo)氏(shi)硬(ying)度(du)從普通(tong)玻(bo)璃的(de)5-6級提升至7-9級,抗刮(gua)性(xing)提升50%以(yi)上(shang),可抵御日常磨損(sun)。 1.2 組成(cheng)結構(gou)(多(duo)(duo)層
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伏白的交(jiao)易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-10 21:32:36
機器人輕量化(hua)材料:鋁(lv)鎂合金產業及個股梳理
一. 鋁(lv)鎂(mei)(mei)合(he)金概覽(lan) 鋁(lv)鎂(mei)(mei)合(he)金是(shi)一種(zhong)以鋁(lv)為(wei)基體、鎂(mei)(mei)為(wei)主(zhu)要添加(jia)元素(含量8%-12%),并(bing)添加(jia)錳、硅(gui)、鋅、鉻等微量元素的輕量化合(he)金材(cai)(cai)料。 (1)核心特性(xing):密度小、強度高(gao)、散熱性(xing)能優異(yi)、抗電磁干擾(rao)性(xing)強、加(jia)工(gong)(gong)性(xing)好(hao)、成(cheng)本可(ke)控。 (2)制備工(gong)(gong)藝(yi):熔(rong)煉法(fa)(主(zhu)流工(gong)(gong)藝(yi),包括熔(rong)煉、鑄(zhu)造、熱處理等步驟)、粉末冶(ye)金法(fa)、表面改性(xing)法(fa)等。 (3)產(chan)品形態:可(ke)通過冷軋(ya)、熱軋(ya)、沖壓、鍛(duan)(duan)造等工(gong)(gong)藝(yi)制成(cheng)板材(cai)(cai)、型材(cai)(cai)、管材(cai)(cai)、鍛(duan)(duan)件(jian);且焊接性(xing)能優異(yi),適合(he)復雜結構成(cheng)型。 (4)分類:5系(xi)鋁(lv)鎂(mei)(mei)合(he)金(僅添加(jia)鎂(mei)(mei),耐腐(fu)蝕性(xing)強)、6系(xi)鋁(lv)鎂(mei)(mei)硅(gui)合(he)金(添加(jia)鎂(mei)(mei)和
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2025-09-09 20:36:50
固態(tai)電池骨(gu)架膜:陶瓷隔膜廠商(shang)梳理
一. 鋰電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo) 傳統(tong)鋰電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)由正極(ji)、負(fu)極(ji)、隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)、電(dian)(dian)(dian)(dian)解液四(si)大(da)部(bu)分組成(cheng);隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)位于正極(ji)與(yu)負(fu)極(ji)之間(jian),通常為多孔結構(gou)絕(jue)緣薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)。 1.1 作用 (1)物(wu)理隔(ge)(ge)(ge)離(li):隔(ge)(ge)(ge)絕(jue)正負(fu)極(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)傳導(dao),防(fang)止(zhi)短路(lu)。 (2)離(li)子(zi)通道:為鋰離(li)子(zi)遷移(yi)提供通道;高溫下閉孔或熔斷(duan),防(fang)止(zhi)熱失(shi)控。 1.2 分類 (1)聚烯烴(jing)類隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo):占(zhan)比90%以上(shang),如PE隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(濕法工(gong)藝、性能占(zhan)優)、PP隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(干法工(gong)藝,成(cheng)本(ben)占(zhan)優)。 (2)非(fei)聚烯烴(jing)類隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo):纖(xian)維素隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)、芳綸隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)等。 二. 固態電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo):骨架膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo) 固態電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)以固態電(dian)(dian)(dian)(dian)解質替代電(dian)(dian)(dian)(dian)解液,其兼具(ju)離(li)子(zi)傳導(dao)與(yu)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)隔(ge)(ge)(ge)離(li)
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伏(fu)白(bai)的交易筆記(ji)
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2025-09-08 20:18:01
固態電池增設膠(jiao)框工藝:UV打印設備廠商梳理
一. 增量邏輯 鋰電(dian)池由正極(ji)材料、負(fu)極(ji)材料、隔(ge)膜(mo)、電(dian)解液四大部分(fen)組成; 隔(ge)膜(mo)位于正負(fu)極(ji)之間,通常為(wei)多(duo)孔(kong)結(jie)構絕(jue)(jue)緣(yuan)薄膜(mo),用(yong)于隔(ge)絕(jue)(jue)正負(fu)極(ji),并提供(gong)鋰離子遷移(yi)通道。 全(quan)固(gu)(gu)態電(dian)池沒有隔(ge)膜(mo),采(cai)用(yong)疊(die)片(pian)(pian)工(gong)藝(yi)層疊(die)正極(ji)、固(gu)(gu)態電(dian)解質、負(fu)極(ji),并通過等靜(jing)壓工(gong)藝(yi)確保界面(mian)緊(jin)密接(jie)觸。 這一過程中,高壓壓合易導致極(ji)片(pian)(pian)邊緣(yuan)塌陷,引發短路風(feng)險;為(wei)解決該(gai)問題,目前技術方向是對(dui)極(ji)片(pian)(pian)做絕(jue)(jue)緣(yuan)封裝(zhuang),增設膠框(kuang)隔(ge)離。 二. UV打(da)印(yin)(yin)工(gong)藝(yi) 膠框(kuang)印(yin)(yin)刷工(gong)藝(yi)主要(yao)分(fen)為(wei)絲(si)網印(yin)(yin)刷、鋼網印(yin)(yin)刷、UV打(da)印(yin)(yin)、涂膠/點膠。 UV打(da)印(yin)(yin)憑借激(ji)光輔助(zhu)的高精度和自動化(hua)優勢,可實現(xian)
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伏白的交易(yi)筆記
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2025-09-07 16:13:13
固態(tai)電池(chi)硫化(hua)物路線:硫化(hua)鋰、電解質及(ji)固態(tai)廠商梳理
一. 固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池組(zu)(zu)成 固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池是(shi)一種以(yi)固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質替代(dai)傳統電(dian)(dian)(dian)解液和隔膜的(de)新型(xing)鋰電(dian)(dian)(dian)池,具(ju)有(you)能量(liang)密度高(gao)、安全性強、循環壽命長等優(you)勢,主(zhu)要(yao)組(zu)(zu)成: (1)正極材(cai)料(liao)(liao):充(chong)電(dian)(dian)(dian)時(shi)(shi)鋰離(li)(li)子(zi)(zi)脫(tuo)出(chu),放電(dian)(dian)(dian)時(shi)(shi)鋰離(li)(li)子(zi)(zi)嵌(qian)入;包括磷酸鐵鋰、高(gao)鎳三(san)(san)元、富(fu)鋰錳基(ji)。 (2)負(fu)(fu)極材(cai)料(liao)(liao):充(chong)電(dian)(dian)(dian)時(shi)(shi)儲存鋰離(li)(li)子(zi)(zi),放電(dian)(dian)(dian)時(shi)(shi)釋放鋰離(li)(li)子(zi)(zi);包括石墨(mo)負(fu)(fu)極、硅基(ji)負(fu)(fu)極、金屬鋰負(fu)(fu)極。 (3)固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質:傳導鋰離(li)(li)子(zi)(zi)并(bing)物(wu)理隔絕正負(fu)(fu)極;包括氧化(hua)物(wu)、硫化(hua)物(wu)、聚合物(wu)三(san)(san)大(da)路線(xian)。 (4)復(fu)合集流(liu)體(ti):收集并(bing)傳導電(dian)(dian)(dian)流(liu);包括鋁箔(bo)(正極)、銅(tong)箔(bo)(負(fu)(fu)極)。 (5)封(feng)裝材(cai)料(liao)(liao):隔絕水氧、保(bao)護電(dian)(dian)(dian)芯
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2025-09-06 20:14:08
鋰(li)電池電解液:六氟磷酸鋰(li)產業及個股梳理
前言(yan):終端需(xu)求(qiu)旺盛、行業新增產能有限,8月以來,六(liu)氟磷(lin)酸鋰(li)(li)價(jia)格經歷兩輪上漲(zhang),從(cong)5萬元/噸漲(zhang)至5.8萬元/噸。 一. 電(dian)解(jie)(jie)液(ye)組(zu)成(cheng)(cheng) 鋰(li)(li)電(dian)池由正極(ji)材(cai)料(liao)、負(fu)極(ji)材(cai)料(liao)、隔(ge)膜、電(dian)解(jie)(jie)液(ye)四大核心材(cai)料(liao)組(zu)成(cheng)(cheng)。 電(dian)解(jie)(jie)液(ye)是鋰(li)(li)離子傳輸介(jie)質,當電(dian)池充(chong)放電(dian)時,鋰(li)(li)離子通過(guo)電(dian)解(jie)(jie)液(ye)在(zai)正負(fu)極(ji)之間遷移(yi),其主要組(zu)成(cheng)(cheng)包括(kuo): (1)鋰(li)(li)鹽(yan):電(dian)解(jie)(jie)液(ye)的鋰(li)(li)離子來源,主流品(pin)(pin)種(zhong)為六(liu)氟磷(lin)酸鋰(li)(li)(LiPF?)。 (2)溶劑(ji):負(fu)責溶解(jie)(jie)鋰(li)(li)鹽(yan),主流品(pin)(pin)種(zhong)為碳酸酯(zhi)類(EC/DMC/DEC)。 (3)添加劑(ji):優化電(dian)解(jie)(jie)液(ye)性能,如成(cheng)(cheng)膜劑(ji)、阻燃(ran)劑(ji)、過(guo)充(chong)保護添加劑(ji)。 二. 六(liu)氟磷(lin)
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2025-09-05 20:22:35
第三代半導體(ti)材料(liao):碳化硅產業及供(gong)應格局梳理
前言:據(ju)外媒報道(dao),為提(ti)升(sheng)性能,英偉達(da)擬(ni)將(jiang)Rubin處理器CoWoS中階(jie)層(ceng)材料(liao)替換為碳(tan)(tan)化硅(gui)襯底,臺積(ji)電正推進相關研發。 一(yi). 半導體(ti)材料(liao) 半導體(ti)材料(liao)是導電性能介于導體(ti)和絕緣體(ti)之間的(de)電子材料(liao),按代際(ji)劃分(fen)為三(san)代: (1)第(di)(di)一(yi)代:硅(gui)、鍺;工藝(yi)成(cheng)熟、成(cheng)本低(di)、適(shi)合規模量(liang)產,用于分(fen)立(li)器件、集成(cheng)電路(邏輯/模擬(ni)/存(cun)儲芯片(pian))。 (2)第(di)(di)二代:砷(shen)化鎵(GaAs)、磷化銦(InP);光電性能卓(zhuo)越,用于射(she)頻器件、光通信器件。 (3)第(di)(di)三(san)代:碳(tan)(tan)化硅(gui)(SiC)、氮化鎵(GaN);耐(nai)高溫、耐(nai)高壓、寬禁(jin)帶,用于高頻電子器件。
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伏白(bai)的交(jiao)易筆(bi)記
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2025-09-04 20:43:19
固態電池封裝材料(liao):鋁塑膜產業及(ji)個股梳理(li)
一. 固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)組成 固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)是一種以固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)解質替(ti)代傳統電(dian)(dian)(dian)解液和隔膜的新型鋰(li)(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi),具有能量密度高、安全性強、循(xun)環壽命長等(deng)優勢,主要(yao)組成: (1)正極(ji)材(cai)料(liao):磷酸鐵鋰(li)(li)、三元材(cai)料(liao)、富鋰(li)(li)錳基。 (2)負(fu)極(ji)材(cai)料(liao):石(shi)墨負(fu)極(ji)、硅基負(fu)極(ji)、金屬鋰(li)(li)負(fu)極(ji)。 (3)固態(tai)(tai)(tai)電(dian)(dian)(dian)解質:氧化物(wu)(wu)、硫化物(wu)(wu)、聚合(he)物(wu)(wu)三大技術(shu)路線。 (4)復合(he)集流體(ti):鋁箔(正極(ji))、銅(tong)箔(負(fu)極(ji))。 (5)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)材(cai)料(liao):鋁塑膜(軟(ruan)包電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi))、金屬殼(圓(yuan)柱/方(fang)形(xing)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi))。 二. 電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)類(lei)型 鋰(li)(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)根據(ju)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)類(lei)型可分為軟(ruan)包、圓(yuan)柱、方(fang)形(xing)三大類(lei);在動力(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)領域,方(fang)形(xing)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)占比超
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2025-09-03 20:50:43
海內外需求高增:電(dian)化學儲(chu)能產業及個股梳理
一. 電(dian)(dian)(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)儲(chu)(chu)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng) 電(dian)(dian)(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)儲(chu)(chu)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)是通(tong)過電(dian)(dian)(dian)池(chi)實現電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)存(cun)儲(chu)(chu)與釋放(fang)的(de)儲(chu)(chu)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)技術(shu),核心(xin)是利用電(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)氧化(hua)(hua)還原反(fan)應(ying)實現電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)與化(hua)(hua)學(xue)(xue)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)的(de)相互轉(zhuan)換(huan)。 作(zuo)(zuo)為(wei)當前發(fa)展最(zui)快、應(ying)用最(zui)廣的(de)儲(chu)(chu)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)技術(shu),其具有響(xiang)應(ying)速(su)度快、能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)量密(mi)度高、配(pei)置靈活、規模化(hua)(hua)潛力大(da)等優勢。 1.1 作(zuo)(zuo)用 (1)電(dian)(dian)(dian)網(wang)調峰(feng)(feng)調頻(pin):用電(dian)(dian)(dian)高峰(feng)(feng)釋放(fang)電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng),用電(dian)(dian)(dian)低谷存(cun)儲(chu)(chu)電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng);快速(su)充放(fang)電(dian)(dian)(dian)補償波動,維(wei)持(chi)電(dian)(dian)(dian)網(wang)頻(pin)率穩定(ding)。 (2)新能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)源消(xiao)納:配(pei)套(tao)風(feng)電(dian)(dian)(dian)/光伏(fu)電(dian)(dian)(dian)站,發(fa)電(dian)(dian)(dian)高峰(feng)(feng)存(cun)儲(chu)(chu)多余電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng),低谷釋放(fang),平滑輸出。 (3)備用電(dian)(dian)(dian)源與需求側響(xiang)應(ying):作(zuo)(zuo)為(wei)戶用或工商(shang)業后(hou)備電(dian)(dian)(dian)源,并可通(tong)過峰(feng)(feng)谷套(tao)利降低用電(dian)(dian)(dian)成本
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2025-09-02 20:53:24
固態(tai)電池制(zhi)備:設備端(duan)增量環節及廠商梳理
一. 固(gu)(gu)態電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)組(zu)成(cheng) 固(gu)(gu)態電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)是(shi)一種以(yi)固(gu)(gu)態電(dian)(dian)(dian)(dian)解質(zhi)替代傳統(tong)電(dian)(dian)(dian)(dian)解液和隔膜(mo)的(de)新型鋰(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi),具(ju)有能量密度(du)高、安全(quan)性強、循環壽命長等優勢,主(zhu)要組(zu)成(cheng): (1)正極材(cai)料(liao)(liao):磷酸鐵(tie)鋰(li)、三元材(cai)料(liao)(liao)、富鋰(li)錳基。 (2)負(fu)極材(cai)料(liao)(liao):石墨負(fu)極、硅基負(fu)極、金(jin)屬鋰(li)負(fu)極。 (3)固(gu)(gu)態電(dian)(dian)(dian)(dian)解質(zhi):氧(yang)化物、硫化物、聚合(he)物三大路線(xian)。 (4)復合(he)集流體:正極通(tong)常用(yong)鋁(lv)箔、負(fu)極通(tong)常用(yong)銅箔。 (5)封裝材(cai)料(liao)(liao):鋁(lv)塑膜(mo)(軟包電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi))、金(jin)屬殼(圓柱/方形電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi))。 二. 固(gu)(gu)態電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)生產設備 主(zhu)要步(bu)驟:原材(cai)料(liao)(liao)預處(chu)理→部件(jian)制備→電(dian)(dian)(dian)(dian)芯組(zu)裝→電(dian)(dian)(dian)(dian)芯封裝→后(hou)處(chu)理(化成(cheng)/分容)
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2025-09-01 21:48:12
谷歌Na-no Ba-n-a-na出(chu)圈:消費級(ji)3D打印(yin)產業(ye)及(ji)個(ge)股梳理
前言:谷歌近(jin)期推出AI圖像(xiang)模型(xing)(xing)Nano Banana,可(ke)將傳統2D圖像(xiang)重構為(wei)(wei)3D空間,為(wei)(wei)玩(wan)家(jia)創(chuang)意落地提(ti)供(gong)靈活高效(xiao)工(gong)具。 一(yi). 消(xiao)費級3D打印(yin) 3D打印(yin)也稱(cheng)為(wei)(wei)增材制造,是一(yi)種以數字模型(xing)(xing)為(wei)(wei)基(ji)礎,通過逐(zhu)層(ceng)添加材料、分(fen)層(ceng)制造的方式來構建(jian)三維物體的技(ji)術。 消(xiao)費級3D打印(yin)主(zhu)要面向個人用(yong)戶、小型(xing)(xing)工(gong)作室,廣泛(fan)應用(yong)于手(shou)辦(ban)潮玩(wan)、家(jia)居裝飾、教學模型(xing)(xing)等(deng)領域。 其核心特(te)點是低成(cheng)(cheng)(cheng)本、易操(cao)作和個性化定(ding)制,與工(gong)業(ye)級3D打印(yin)的大(da)尺(chi)寸、高精(jing)度、高成(cheng)(cheng)(cheng)本形成(cheng)(cheng)(cheng)鮮明區別。 二. 主(zhu)流技(ji)術分(fen)類 2.1 FDM(熔融沉積成(cheng)(cheng)(cheng)型(xing)(xing)) (1)特(te)點:最
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2025-08-31 19:32:59
阿里巴(ba)巴(ba)芯(xin)片板塊:平頭(tou)哥、達摩院(yuan)合作(zuo)商梳理
前言:據外(wai)媒報道,阿里(li)巴巴正(zheng)開發一(yi)款(kuan)新的(de)AI芯(xin)片,目前已進入測試階段(duan);該(gai)芯(xin)片主要用(yong)于(yu)(yu)AI推(tui)理(li)(li)任務,并由國內(nei)企(qi)業(ye)(ye)代工。 一(yi). 平(ping)頭(tou)哥半導體(ti) 1.1 基(ji)本介紹 平(ping)頭(tou)哥成立于(yu)(yu)2018年,為阿里(li)旗下全資(zi)子(zi)公司,其整合了中天(tian)微系統和達摩院芯(xin)片團隊(dui),專注于(yu)(yu)高性能(neng)芯(xin)片研發與(yu)商業(ye)(ye)化。 1.2 芯(xin)片產品 (1)含光800:AI推(tui)理(li)(li)芯(xin)片,采(cai)用(yong)臺積(ji)電12nm工藝(yi)+170億(yi)晶體(ti)管(guan)數量(liang),INT8算力825TOPS,通(tong)過(guo)阿里(li)云(yun)提供云(yun)端算力服(fu)務。 (2)倚(yi)天(tian)710:云(yun)端服(fu)務器CPU,采(cai)用(yong)臺積(ji)電工藝(yi)+600億(yi)晶體(ti)管(guan)數量(liang)+128
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長電科技
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中芯國際
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伏白的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-08-30 20:13:12
英偉(wei)達算力芯片分類:國內對標廠商(shang)梳理
一. 英(ying)偉達消費級(ji)GPU 1.1 代表型號(GeForce系列(lie)) (1)RTX 40系列(lie):采(cai)用Ada Lovelace架構、臺積電4N工(gong)藝(yi)+760億(yi)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量、FP32算力83TFLOPS。 (2)RTX 50系列(lie):采(cai)用Blackwell架構、臺積電4NP工(gong)藝(yi)+920億(yi)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量、FP32算力100 TFLOPS。 1.2 應用場景 游戲(xi)(xi)及輕(qing)量級(ji)AI應用,如4K/8K游戲(xi)(xi)、3D渲染、AI繪(hui)圖。 1.3 國內對標 摩爾(er)線程(MTT S80)、礪算科技(7G106/東芯股份)、景嘉微(JM9)、天數(shu)
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寒武紀
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海光信息
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伏(fu)白(bai)的(de)交(jiao)易(yi)筆(bi)記
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2025-08-28 21:40:31
功率半導(dao)體:MOSFET/IGBT供應格(ge)局梳理
一. 功率半導(dao)體 功率半導(dao)體是用(yong)于(yu)電(dian)(dian)(dian)能轉(zhuan)換(huan)、控制(zhi)和保(bao)護的(de)半導(dao)體器件,用(yong)于(yu)高(gao)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)、大電(dian)(dian)(dian)流場景,是電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子系統的(de)核(he)心(xin)。 1.1 作用(yong) (1)電(dian)(dian)(dian)能轉(zhuan)換(huan):AC-DC(交(jiao)流轉(zhuan)直(zhi)流)、DC-DC(直(zhi)流轉(zhuan)直(zhi)流)、DC-AC(直(zhi)流轉(zhuan)交(jiao)流)、AC-AC(交(jiao)流轉(zhuan)交(jiao)流)。 (2)電(dian)(dian)(dian)能控制(zhi):通過(guo)控制(zhi)器件的(de)導(dao)通/關(guan)斷狀態,實現對電(dian)(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)(dian)流、頻率的(de)精準(zhun)調控。 (3)電(dian)(dian)(dian)路保(bao)護:電(dian)(dian)(dian)路出現異常(如過(guo)流/過(guo)壓(ya)/短(duan)路)時,可快速(su)關(guan)斷,防止設備損壞。 1.2 分類(lei) (1)一代:二極(ji)管(低壓(ya)領域(yu))、晶閘管(高(gao)壓(ya)領域(yu));由簡單的(de)PN結(jie)組成
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斯達半導
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揚杰科技
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伏白(bai)的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-08-27 20:10:27
受益端側AI放量:無線(xian)通信模組廠商梳理
一(yi). 無(wu)(wu)線通信(xin)模組(zu) 無(wu)(wu)線通信(xin)模組(zu)是一(yi)種標準化硬件模塊,通過集成通信(xin)芯片、存儲單元(yuan)、接口等(deng)關鍵組(zu)件,為終(zhong)端設備提(ti)供(gong)標準化的無(wu)(wu)線數據傳(chuan)輸能力。 1.1 核(he)心組(zu)成 (1)基帶芯片:負責信(xin)號編解碼(ma)、協(xie)議棧處理(如TCP/IP、MQTT)。 (2)射頻芯片:實現無(wu)(wu)線信(xin)號收(shou)發與功率放大,包括PA、濾波器。 (3)存儲單元(yuan):存儲協(xie)議棧與臨時數據,包括Flash(程序存儲)、RAM(數據緩存)。 (4)電源管理模塊:提(ti)供(gong)穩定電壓(ya),并優化功耗(hao)。 (5)接口單元(yuan):提(ti)供(gong)UART、SPI、I2C等(deng)接口,便于與主控芯片(
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移遠通信
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廣和通
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美格智能
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伏白的(de)交(jiao)易筆(bi)記
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2025-08-26 21:14:28
手機屏幕抗(kang)反射涂(tu)層:超硬AR鍍膜廠商(shang)梳理
前言:據外媒報道,蘋(pin)果公司即將(jiang)發布(bu)的(de)iPhone 17 Pro/Pro Max將(jiang)首次(ci)搭載超(chao)(chao)硬(ying)AR鍍(du)膜。 一(yi). 超(chao)(chao)硬(ying)AR鍍(du)膜概(gai)覽 超(chao)(chao)硬(ying)AR鍍(du)膜是一(yi)種通(tong)過多(duo)層(ceng)納米級光學(xue)薄(bo)膜干涉(she)技術(shu)實現的(de)表面(mian)處理技術(shu),目標是減少反射(she)、提(ti)(ti)升(sheng)透(tou)光率(lv),同時增強材料硬(ying)度和耐(nai)磨(mo)性(xing)(xing)(xing)。 1.1 性(xing)(xing)(xing)能優(you)勢 (1)光學(xue)性(xing)(xing)(xing)能:反射(she)率(lv)從普通(tong)玻璃的(de)4%降至1%以下(xia),透(tou)光率(lv)從92%提(ti)(ti)升(sheng)至98%,強光環境(jing)下(xia)可(ke)視(shi)性(xing)(xing)(xing)提(ti)(ti)升(sheng)3倍。 (2)機械(xie)性(xing)(xing)(xing)能:莫氏硬(ying)度從普通(tong)玻璃的(de)5-6級提(ti)(ti)升(sheng)至7-9級,抗刮性(xing)(xing)(xing)提(ti)(ti)升(sheng)50%以上,可(ke)抵御(yu)日常磨(mo)損(sun)。 1.2 組成結(jie)構(多(duo)層(ceng)
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萬順新材
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伏白的交易筆(bi)記
買買買的機構
2025-09-10 21:32:36
機器人輕量化材料(liao):鋁鎂(mei)合金產業及個(ge)股梳理(li)
一. 鋁(lv)鎂合(he)(he)金(jin)(jin)概覽 鋁(lv)鎂合(he)(he)金(jin)(jin)是一種(zhong)以鋁(lv)為(wei)(wei)基體、鎂為(wei)(wei)主(zhu)要(yao)添加元素(含量(liang)8%-12%),并添加錳、硅、鋅、鉻等微量(liang)元素的輕量(liang)化合(he)(he)金(jin)(jin)材(cai)(cai)料。 (1)核心特性:密(mi)度小、強(qiang)(qiang)度高、散(san)熱(re)性能優異(yi)、抗電磁干擾性強(qiang)(qiang)、加工(gong)性好、成(cheng)本可控(kong)。 (2)制備工(gong)藝(yi):熔煉法(fa)(主(zhu)流工(gong)藝(yi),包(bao)括熔煉、鑄造、熱(re)處理等步驟)、粉末冶金(jin)(jin)法(fa)、表面改性法(fa)等。 (3)產品形(xing)態:可通過冷軋(ya)、熱(re)軋(ya)、沖(chong)壓、鍛(duan)造等工(gong)藝(yi)制成(cheng)板材(cai)(cai)、型材(cai)(cai)、管材(cai)(cai)、鍛(duan)件;且(qie)焊接性能優異(yi),適合(he)(he)復雜結(jie)構成(cheng)型。 (4)分(fen)類(lei):5系鋁(lv)鎂合(he)(he)金(jin)(jin)(僅添加鎂,耐腐蝕性強(qiang)(qiang))、6系鋁(lv)鎂硅合(he)(he)金(jin)(jin)(添加鎂和
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星源卓鎂
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寶武鎂業
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伏白(bai)的交易(yi)筆記
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2025-09-09 20:36:50
固態電池骨(gu)架膜:陶瓷隔(ge)膜廠商梳理
一(yi). 鋰電池(chi)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo) 傳(chuan)統鋰電池(chi)由正極(ji)、負極(ji)、隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)、電解液(ye)四大(da)部分組成;隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)位于正極(ji)與(yu)負極(ji)之間,通常為(wei)多孔(kong)(kong)結構絕(jue)緣薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)。 1.1 作用(yong) (1)物(wu)理隔(ge)(ge)離(li):隔(ge)(ge)絕(jue)正負極(ji)電子傳(chuan)導(dao),防止短路。 (2)離(li)子通道(dao)(dao):為(wei)鋰離(li)子遷移提供(gong)通道(dao)(dao);高溫下(xia)閉孔(kong)(kong)或熔(rong)斷(duan),防止熱失控(kong)。 1.2 分類 (1)聚(ju)烯烴(jing)類隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo):占比90%以上,如PE隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(濕(shi)法工藝、性能(neng)占優)、PP隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(干法工藝,成本占優)。 (2)非聚(ju)烯烴(jing)類隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo):纖維素隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)、芳綸(lun)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)等。 二. 固態(tai)(tai)電池(chi)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo):骨架膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo) 固態(tai)(tai)電池(chi)以固態(tai)(tai)電解質替代電解液(ye),其兼具離(li)子傳(chuan)導(dao)與(yu)電極(ji)隔(ge)(ge)離(li)
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恩捷股份
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伏白的交易筆記
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2025-09-08 20:18:01
固態電(dian)池增設(she)膠框(kuang)工藝:UV打(da)印設(she)備(bei)廠商梳理
一. 增量邏(luo)輯 鋰(li)電池由正(zheng)(zheng)極(ji)材料(liao)、負(fu)極(ji)材料(liao)、隔(ge)(ge)膜、電解(jie)液四大部分組成; 隔(ge)(ge)膜位(wei)于(yu)正(zheng)(zheng)負(fu)極(ji)之間,通常為多(duo)孔結構絕緣薄(bo)膜,用(yong)于(yu)隔(ge)(ge)絕正(zheng)(zheng)負(fu)極(ji),并(bing)提(ti)供鋰(li)離(li)子遷移通道(dao)。 全固(gu)態電池沒有隔(ge)(ge)膜,采用(yong)疊(die)片工藝層(ceng)疊(die)正(zheng)(zheng)極(ji)、固(gu)態電解(jie)質、負(fu)極(ji),并(bing)通過(guo)等靜壓工藝確保界面(mian)緊密接觸。 這一過(guo)程(cheng)中,高壓壓合易導(dao)致極(ji)片邊緣塌陷,引發(fa)短路風險;為解(jie)決該問題,目(mu)前技術(shu)方向是對(dui)極(ji)片做絕緣封裝(zhuang),增設膠框隔(ge)(ge)離(li)。 二. UV打印(yin)工藝 膠框印(yin)刷工藝主(zhu)要分為絲(si)網印(yin)刷、鋼網印(yin)刷、UV打印(yin)、涂膠/點(dian)膠。 UV打印(yin)憑借激光輔助(zhu)的高精度和自(zi)動(dong)化優勢(shi),可實現
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德龍激光
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2025-09-07 16:13:13
固(gu)態電池(chi)硫(liu)化(hua)物(wu)路線:硫(liu)化(hua)鋰、電解質及固(gu)態廠商梳理
一(yi). 固(gu)態電(dian)(dian)(dian)池組(zu)成(cheng) 固(gu)態電(dian)(dian)(dian)池是一(yi)種(zhong)以(yi)固(gu)態電(dian)(dian)(dian)解(jie)質(zhi)替代(dai)傳(chuan)(chuan)統電(dian)(dian)(dian)解(jie)液(ye)和隔膜的新(xin)型鋰電(dian)(dian)(dian)池,具(ju)有能(neng)量(liang)密度高(gao)、安(an)全(quan)性強(qiang)、循(xun)環壽命長等優勢,主(zhu)要組(zu)成(cheng): (1)正(zheng)極(ji)(ji)(ji)材(cai)(cai)(cai)料:充電(dian)(dian)(dian)時鋰離(li)(li)(li)子脫(tuo)出,放電(dian)(dian)(dian)時鋰離(li)(li)(li)子嵌(qian)入;包(bao)括(kuo)磷酸鐵鋰、高(gao)鎳三(san)元、富鋰錳基(ji)。 (2)負極(ji)(ji)(ji)材(cai)(cai)(cai)料:充電(dian)(dian)(dian)時儲存鋰離(li)(li)(li)子,放電(dian)(dian)(dian)時釋(shi)放鋰離(li)(li)(li)子;包(bao)括(kuo)石墨負極(ji)(ji)(ji)、硅基(ji)負極(ji)(ji)(ji)、金屬鋰負極(ji)(ji)(ji)。 (3)固(gu)態電(dian)(dian)(dian)解(jie)質(zhi):傳(chuan)(chuan)導(dao)鋰離(li)(li)(li)子并物理隔絕正(zheng)負極(ji)(ji)(ji);包(bao)括(kuo)氧化(hua)物、硫(liu)化(hua)物、聚合(he)物三(san)大(da)路線。 (4)復合(he)集(ji)流體:收集(ji)并傳(chuan)(chuan)導(dao)電(dian)(dian)(dian)流;包(bao)括(kuo)鋁(lv)箔(bo)(正(zheng)極(ji)(ji)(ji))、銅箔(bo)(負極(ji)(ji)(ji))。 (5)封裝(zhuang)材(cai)(cai)(cai)料:隔絕水氧、保護電(dian)(dian)(dian)芯
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贛鋒鋰業
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恩捷股份
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當升科技
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2025-09-06 20:14:08
鋰電池電解液:六氟磷(lin)酸鋰產業(ye)及個股(gu)梳理(li)
前言:終端需求旺(wang)盛、行業新增(zeng)產能有限(xian),8月以來,六氟磷酸鋰(li)(li)價格經歷兩輪上漲,從5萬元/噸漲至5.8萬元/噸。 一. 電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)(ye)(ye)組(zu)成(cheng) 鋰(li)(li)電(dian)池由(you)正極材料(liao)、負極材料(liao)、隔膜、電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)(ye)(ye)四大(da)核心(xin)材料(liao)組(zu)成(cheng)。 電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)(ye)(ye)是鋰(li)(li)離子(zi)傳輸介質,當電(dian)池充(chong)放電(dian)時,鋰(li)(li)離子(zi)通過(guo)(guo)電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)(ye)(ye)在(zai)正負極之(zhi)間遷移(yi),其主(zhu)要組(zu)成(cheng)包(bao)括: (1)鋰(li)(li)鹽(yan):電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)(ye)(ye)的鋰(li)(li)離子(zi)來源(yuan),主(zhu)流品種為六氟磷酸鋰(li)(li)(LiPF?)。 (2)溶(rong)(rong)劑(ji)(ji)(ji):負責溶(rong)(rong)解(jie)(jie)(jie)鋰(li)(li)鹽(yan),主(zhu)流品種為碳酸酯類(EC/DMC/DEC)。 (3)添加(jia)劑(ji)(ji)(ji):優化電(dian)解(jie)(jie)(jie)液(ye)(ye)(ye)性能,如成(cheng)膜劑(ji)(ji)(ji)、阻燃劑(ji)(ji)(ji)、過(guo)(guo)充(chong)保護添加(jia)劑(ji)(ji)(ji)。 二. 六氟磷
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天賜材料
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多氟多
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2025-09-05 20:22:35
第三代(dai)半導體材料:碳化硅產業及(ji)供應格(ge)局(ju)梳(shu)理
前言:據外媒報道,為(wei)提升性能,英(ying)偉達擬(ni)將Rubin處理器(qi)CoWoS中(zhong)階層材料(liao)(liao)替(ti)換為(wei)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅襯底,臺積電(dian)正推(tui)進相(xiang)關(guan)研發。 一. 半導(dao)體(ti)材料(liao)(liao) 半導(dao)體(ti)材料(liao)(liao)是導(dao)電(dian)性能介于導(dao)體(ti)和絕緣體(ti)之間的電(dian)子材料(liao)(liao),按代(dai)(dai)際劃(hua)分為(wei)三代(dai)(dai): (1)第一代(dai)(dai):硅、鍺;工藝(yi)成熟、成本低、適合規模量產(chan),用(yong)(yong)于分立器(qi)件、集成電(dian)路(lu)(邏輯/模擬(ni)/存儲(chu)芯(xin)片(pian))。 (2)第二(er)代(dai)(dai):砷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(GaAs)、磷化(hua)(hua)(hua)銦(InP);光(guang)電(dian)性能卓越(yue),用(yong)(yong)于射頻器(qi)件、光(guang)通信器(qi)件。 (3)第三代(dai)(dai):碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(SiC)、氮化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(GaN);耐(nai)高溫、耐(nai)高壓(ya)、寬(kuan)禁帶,用(yong)(yong)于高頻電(dian)子器(qi)件。
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天岳先進
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露笑科技
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2025-09-04 20:43:19
固態電池封裝材料:鋁塑膜(mo)產業及個股梳(shu)理
一(yi). 固(gu)態(tai)電(dian)池(chi)(chi)(chi)組成 固(gu)態(tai)電(dian)池(chi)(chi)(chi)是一(yi)種以固(gu)態(tai)電(dian)解(jie)質替代傳統(tong)電(dian)解(jie)液(ye)和隔(ge)膜(mo)的新型鋰(li)電(dian)池(chi)(chi)(chi),具有能(neng)量密度(du)高、安全性強、循環壽(shou)命長等優勢,主要組成: (1)正(zheng)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料:磷酸(suan)鐵(tie)鋰(li)、三元(yuan)材(cai)料、富鋰(li)錳基(ji)。 (2)負極(ji)(ji)(ji)材(cai)料:石墨負極(ji)(ji)(ji)、硅基(ji)負極(ji)(ji)(ji)、金(jin)(jin)屬鋰(li)負極(ji)(ji)(ji)。 (3)固(gu)態(tai)電(dian)解(jie)質:氧化物(wu)、硫化物(wu)、聚合物(wu)三大技術(shu)路(lu)線。 (4)復(fu)合集流體(ti):鋁箔(正(zheng)極(ji)(ji)(ji))、銅箔(負極(ji)(ji)(ji))。 (5)封裝材(cai)料:鋁塑(su)膜(mo)(軟(ruan)包電(dian)池(chi)(chi)(chi))、金(jin)(jin)屬殼(圓柱/方(fang)形(xing)(xing)電(dian)池(chi)(chi)(chi))。 二. 電(dian)池(chi)(chi)(chi)封裝類(lei)型 鋰(li)電(dian)池(chi)(chi)(chi)根據(ju)封裝類(lei)型可分為軟(ruan)包、圓柱、方(fang)形(xing)(xing)三大類(lei);在動力(li)電(dian)池(chi)(chi)(chi)領(ling)域,方(fang)形(xing)(xing)電(dian)池(chi)(chi)(chi)占比(bi)超
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伏白的交(jiao)易筆記(ji)
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2025-09-03 20:50:43
海內外需求高增:電化(hua)學儲(chu)能(neng)產業(ye)及個股梳理
一. 電(dian)(dian)(dian)化學儲(chu)能(neng) 電(dian)(dian)(dian)化學儲(chu)能(neng)是(shi)通過(guo)電(dian)(dian)(dian)池實現(xian)電(dian)(dian)(dian)能(neng)存儲(chu)與(yu)釋(shi)放(fang)的(de)儲(chu)能(neng)技術(shu),核心是(shi)利(li)用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)池的(de)氧化還原反應(ying)(ying)實現(xian)電(dian)(dian)(dian)能(neng)與(yu)化學能(neng)的(de)相互轉換。 作(zuo)為(wei)當前(qian)發展最快、應(ying)(ying)用(yong)(yong)最廣的(de)儲(chu)能(neng)技術(shu),其(qi)具有響(xiang)應(ying)(ying)速(su)度(du)快、能(neng)量密(mi)度(du)高、配置靈活、規模化潛力大等(deng)優勢。 1.1 作(zuo)用(yong)(yong) (1)電(dian)(dian)(dian)網(wang)調峰(feng)調頻:用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)高峰(feng)釋(shi)放(fang)電(dian)(dian)(dian)能(neng),用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)低(di)谷(gu)(gu)存儲(chu)電(dian)(dian)(dian)能(neng);快速(su)充放(fang)電(dian)(dian)(dian)補償波動,維持電(dian)(dian)(dian)網(wang)頻率穩定。 (2)新能(neng)源消納:配套風(feng)電(dian)(dian)(dian)/光(guang)伏電(dian)(dian)(dian)站,發電(dian)(dian)(dian)高峰(feng)存儲(chu)多余電(dian)(dian)(dian)能(neng),低(di)谷(gu)(gu)釋(shi)放(fang),平(ping)滑輸(shu)出(chu)。 (3)備(bei)(bei)用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)源與(yu)需求側響(xiang)應(ying)(ying):作(zuo)為(wei)戶用(yong)(yong)或工商業后備(bei)(bei)電(dian)(dian)(dian)源,并可通過(guo)峰(feng)谷(gu)(gu)套利(li)降低(di)用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)成(cheng)本
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伏白的(de)交易(yi)筆(bi)記
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2025-09-02 20:53:24
固態電池制備:設(she)備端增量環節及廠商梳理(li)
一(yi). 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)組成(cheng)(cheng)(cheng) 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)是一(yi)種以固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質(zhi)替代傳統電(dian)(dian)(dian)解液(ye)和隔膜的新型鋰(li)(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi),具(ju)有能量密度高(gao)、安全(quan)性強(qiang)、循(xun)環壽命長(chang)等優勢(shi),主(zhu)要(yao)組成(cheng)(cheng)(cheng): (1)正(zheng)極材(cai)(cai)(cai)料(liao):磷酸鐵(tie)鋰(li)(li)、三元材(cai)(cai)(cai)料(liao)、富鋰(li)(li)錳基(ji)。 (2)負(fu)極材(cai)(cai)(cai)料(liao):石墨負(fu)極、硅基(ji)負(fu)極、金(jin)屬鋰(li)(li)負(fu)極。 (3)固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質(zhi):氧化(hua)(hua)物、硫化(hua)(hua)物、聚合物三大路線。 (4)復合集流(liu)體:正(zheng)極通常用鋁箔、負(fu)極通常用銅箔。 (5)封裝材(cai)(cai)(cai)料(liao):鋁塑膜(軟包電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi))、金(jin)屬殼(圓(yuan)柱/方形(xing)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi))。 二(er). 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)生產(chan)設備 主(zhu)要(yao)步驟(zou):原材(cai)(cai)(cai)料(liao)預處理→部件(jian)制備→電(dian)(dian)(dian)芯組裝→電(dian)(dian)(dian)芯封裝→后處理(化(hua)(hua)成(cheng)(cheng)(cheng)/分容)
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伏白的(de)交(jiao)易(yi)筆記
買買買的機構
2025-09-01 21:48:12
谷歌Na-no Ba-n-a-na出圈(quan):消費級3D打(da)印產(chan)業及個股(gu)梳(shu)理
前言:谷歌近期推出AI圖(tu)像模(mo)型(xing)(xing)Nano Banana,可將傳(chuan)統2D圖(tu)像重構為3D空間,為玩(wan)家(jia)創意(yi)落地提供靈活(huo)高(gao)效(xiao)工具(ju)。 一(yi). 消(xiao)費(fei)級(ji)(ji)3D打(da)印(yin) 3D打(da)印(yin)也稱為增材(cai)制(zhi)造(zao)(zao),是一(yi)種以數字模(mo)型(xing)(xing)為基礎,通過逐層(ceng)添加(jia)材(cai)料、分層(ceng)制(zhi)造(zao)(zao)的(de)方式(shi)來(lai)構建三維物體的(de)技(ji)術(shu)。 消(xiao)費(fei)級(ji)(ji)3D打(da)印(yin)主要面(mian)向個人用(yong)戶、小型(xing)(xing)工作(zuo)室,廣泛應用(yong)于手辦潮玩(wan)、家(jia)居(ju)裝(zhuang)飾、教學模(mo)型(xing)(xing)等領(ling)域。 其核心特(te)點(dian)是低成(cheng)本(ben)、易操(cao)作(zuo)和個性(xing)化定制(zhi),與工業級(ji)(ji)3D打(da)印(yin)的(de)大尺寸、高(gao)精度、高(gao)成(cheng)本(ben)形成(cheng)鮮(xian)明區別。 二(er). 主流技(ji)術(shu)分類 2.1 FDM(熔(rong)融沉積成(cheng)型(xing)(xing)) (1)特(te)點(dian):最
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伏白的交易筆記(ji)
買買買的機構
2025-08-31 19:32:59
阿(a)里巴巴芯片板塊:平頭哥(ge)、達摩院合作商梳理
前言:據外媒報(bao)道,阿里(li)巴巴正開(kai)發一款新的AI芯片(pian)(pian),目(mu)前已進入測試階段;該芯片(pian)(pian)主要(yao)用于AI推(tui)理任務(wu),并(bing)由國(guo)內企業(ye)代工。 一. 平頭哥半導體 1.1 基本介(jie)紹(shao) 平頭哥成立于2018年,為阿里(li)旗下(xia)全資子(zi)公司(si),其(qi)整合了中天微系(xi)統和達摩院芯片(pian)(pian)團隊,專注于高性(xing)能芯片(pian)(pian)研(yan)發與商業(ye)化(hua)。 1.2 芯片(pian)(pian)產品 (1)含(han)光800:AI推(tui)理芯片(pian)(pian),采用臺積(ji)電12nm工藝+170億晶體管(guan)數量,INT8算力825TOPS,通過(guo)阿里(li)云提供云端(duan)算力服務(wu)。 (2)倚天710:云端(duan)服務(wu)器(qi)CPU,采用臺積(ji)電工藝+600億晶體管(guan)數量+128
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伏白(bai)的交易筆記
買買買的機構
2025-08-30 20:13:12
英偉達(da)算力芯片分類:國內(nei)對標廠(chang)商梳理
一. 英偉達消費級GPU 1.1 代表型號(hao)(GeForce系列(lie)) (1)RTX 40系列(lie):采用Ada Lovelace架(jia)構(gou)、臺積電(dian)4N工藝+760億晶(jing)體管數(shu)量(liang)、FP32算力83TFLOPS。 (2)RTX 50系列(lie):采用Blackwell架(jia)構(gou)、臺積電(dian)4NP工藝+920億晶(jing)體管數(shu)量(liang)、FP32算力100 TFLOPS。 1.2 應(ying)用場景 游戲及輕量(liang)級AI應(ying)用,如4K/8K游戲、3D渲染(ran)、AI繪圖。 1.3 國內對標(biao) 摩爾線程(MTT S80)、礪算科技(7G106/東芯股份)、景嘉微(JM9)、天數(shu)
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伏白的交易筆記
買買買的機構
2025-08-28 21:40:31
功(gong)率半導體:MOSFET/IGBT供應(ying)格局(ju)梳(shu)理
一. 功(gong)率半導(dao)體 功(gong)率半導(dao)體是用于電(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)轉換(huan)、控制(zhi)(zhi)和保護(hu)的(de)半導(dao)體器(qi)(qi)件,用于高電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)、大電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)場(chang)景,是電(dian)(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)子系(xi)統的(de)核心。 1.1 作用 (1)電(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)轉換(huan):AC-DC(交(jiao)流(liu)(liu)(liu)轉直(zhi)流(liu)(liu)(liu))、DC-DC(直(zhi)流(liu)(liu)(liu)轉直(zhi)流(liu)(liu)(liu))、DC-AC(直(zhi)流(liu)(liu)(liu)轉交(jiao)流(liu)(liu)(liu))、AC-AC(交(jiao)流(liu)(liu)(liu)轉交(jiao)流(liu)(liu)(liu))。 (2)電(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)控制(zhi)(zhi):通過(guo)控制(zhi)(zhi)器(qi)(qi)件的(de)導(dao)通/關(guan)(guan)斷(duan)狀態,實現對(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)、頻率的(de)精準調控。 (3)電(dian)(dian)(dian)(dian)路保護(hu):電(dian)(dian)(dian)(dian)路出現異常(如過(guo)流(liu)(liu)(liu)/過(guo)壓(ya)/短路)時,可(ke)快速關(guan)(guan)斷(duan),防止設(she)備損壞。 1.2 分類 (1)一代:二極管(低壓(ya)領(ling)域(yu))、晶閘管(高壓(ya)領(ling)域(yu));由簡單的(de)PN結組成
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伏白的交易(yi)筆記
買買買的機構
2025-08-27 20:10:27
受益端(duan)側AI放量:無線(xian)通信模組廠商梳理
一. 無(wu)線通(tong)信(xin)(xin)模組(zu) 無(wu)線通(tong)信(xin)(xin)模組(zu)是一種(zhong)標準化硬件(jian)模塊,通(tong)過集成通(tong)信(xin)(xin)芯片(pian)、存(cun)(cun)儲(chu)(chu)單(dan)元、接口等關(guan)鍵組(zu)件(jian),為(wei)終(zhong)端設備提(ti)供標準化的無(wu)線數據(ju)傳輸能力。 1.1 核(he)心組(zu)成 (1)基帶芯片(pian):負責信(xin)(xin)號編解碼、協議棧處(chu)理(li)(如TCP/IP、MQTT)。 (2)射頻芯片(pian):實現無(wu)線信(xin)(xin)號收發與(yu)功(gong)率放大(da),包括PA、濾波器。 (3)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)單(dan)元:存(cun)(cun)儲(chu)(chu)協議棧與(yu)臨時數據(ju),包括Flash(程序存(cun)(cun)儲(chu)(chu))、RAM(數據(ju)緩存(cun)(cun))。 (4)電源管(guan)理(li)模塊:提(ti)供穩定(ding)電壓,并優化功(gong)耗。 (5)接口單(dan)元:提(ti)供UART、SPI、I2C等接口,便于與(yu)主控芯片(pian)(
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伏白(bai)的交易筆(bi)記(ji)
買買買的機構
2025-08-26 21:14:28
手(shou)機屏幕抗反(fan)射涂(tu)層(ceng):超(chao)硬AR鍍膜廠商梳(shu)理
前言:據外媒報道,蘋果公(gong)司即(ji)將(jiang)發布(bu)的(de)iPhone 17 Pro/Pro Max將(jiang)首(shou)次搭載超硬(ying)AR鍍(du)膜。 一. 超硬(ying)AR鍍(du)膜概覽 超硬(ying)AR鍍(du)膜是一種通(tong)過多層納米級(ji)光學薄膜干涉技術實現的(de)表面(mian)處理技術,目(mu)標是減少反(fan)射、提(ti)升(sheng)透光率,同時增強材(cai)料硬(ying)度和耐磨(mo)性(xing)(xing)。 1.1 性(xing)(xing)能(neng)優勢 (1)光學性(xing)(xing)能(neng):反(fan)射率從普通(tong)玻璃的(de)4%降至(zhi)1%以(yi)下,透光率從92%提(ti)升(sheng)至(zhi)98%,強光環(huan)境下可(ke)(ke)視性(xing)(xing)提(ti)升(sheng)3倍(bei)。 (2)機械(xie)性(xing)(xing)能(neng):莫氏(shi)硬(ying)度從普通(tong)玻璃的(de)5-6級(ji)提(ti)升(sheng)至(zhi)7-9級(ji),抗(kang)刮性(xing)(xing)提(ti)升(sheng)50%以(yi)上,可(ke)(ke)抵御(yu)日(ri)常(chang)磨(mo)損。 1.2 組(zu)成(cheng)結構(多層
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伏白(bai)的交易筆記
買買買的機構
2025-09-10 21:32:36
機器人輕量化材料:鋁鎂(mei)合(he)金產(chan)業及個股梳理
一. 鋁(lv)(lv)鎂(mei)(mei)合(he)金(jin)(jin)概覽 鋁(lv)(lv)鎂(mei)(mei)合(he)金(jin)(jin)是(shi)一種以鋁(lv)(lv)為(wei)基體、鎂(mei)(mei)為(wei)主要(yao)添(tian)加元素(su)(含(han)量8%-12%),并(bing)添(tian)加錳、硅(gui)、鋅、鉻(ge)等微量元素(su)的輕量化合(he)金(jin)(jin)材(cai)料(liao)。 (1)核心特性(xing)(xing):密度(du)小、強(qiang)度(du)高、散(san)熱性(xing)(xing)能優(you)異(yi)、抗電磁干(gan)擾(rao)性(xing)(xing)強(qiang)、加工(gong)(gong)性(xing)(xing)好(hao)、成(cheng)(cheng)本可(ke)控(kong)。 (2)制(zhi)備工(gong)(gong)藝:熔煉(lian)法(主流(liu)工(gong)(gong)藝,包括熔煉(lian)、鑄造、熱處理等步驟)、粉末冶金(jin)(jin)法、表面改性(xing)(xing)法等。 (3)產品形態(tai):可(ke)通過冷軋(ya)、熱軋(ya)、沖壓、鍛造等工(gong)(gong)藝制(zhi)成(cheng)(cheng)板(ban)材(cai)、型材(cai)、管(guan)材(cai)、鍛件;且焊接性(xing)(xing)能優(you)異(yi),適合(he)復(fu)雜結構成(cheng)(cheng)型。 (4)分類:5系鋁(lv)(lv)鎂(mei)(mei)合(he)金(jin)(jin)(僅添(tian)加鎂(mei)(mei),耐腐蝕性(xing)(xing)強(qiang))、6系鋁(lv)(lv)鎂(mei)(mei)硅(gui)合(he)金(jin)(jin)(添(tian)加鎂(mei)(mei)和
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2025-09-09 20:36:50
固態電池(chi)骨架膜:陶瓷隔膜廠商梳(shu)理
一. 鋰(li)電(dian)(dian)池(chi)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo) 傳(chuan)統(tong)鋰(li)電(dian)(dian)池(chi)由正極(ji)(ji)、負(fu)(fu)(fu)極(ji)(ji)、隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)、電(dian)(dian)解液四大部(bu)分組成;隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)位于(yu)正極(ji)(ji)與負(fu)(fu)(fu)極(ji)(ji)之(zhi)間,通(tong)常為(wei)多孔結構絕緣薄膜(mo)(mo)(mo)。 1.1 作用 (1)物理(li)隔(ge)(ge)離(li):隔(ge)(ge)絕正負(fu)(fu)(fu)極(ji)(ji)電(dian)(dian)子(zi)傳(chuan)導,防止短(duan)路。 (2)離(li)子(zi)通(tong)道:為(wei)鋰(li)離(li)子(zi)遷移提供通(tong)道;高溫下閉孔或(huo)熔(rong)斷,防止熱失控(kong)。 1.2 分類 (1)聚(ju)烯烴類隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo):占(zhan)比(bi)90%以上,如PE隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(濕(shi)法工藝(yi)、性能占(zhan)優(you))、PP隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(干法工藝(yi),成本占(zhan)優(you))。 (2)非聚(ju)烯烴類隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo):纖維素隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)、芳綸隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)等。 二. 固態電(dian)(dian)池(chi)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo):骨架膜(mo)(mo)(mo) 固態電(dian)(dian)池(chi)以固態電(dian)(dian)解質替代電(dian)(dian)解液,其(qi)兼具離(li)子(zi)傳(chuan)導與電(dian)(dian)極(ji)(ji)隔(ge)(ge)離(li)
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恩捷股份
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2025-09-08 20:18:01
固態電池增設膠(jiao)框工藝:UV打印設備廠商(shang)梳理
一(yi). 增(zeng)量邏輯 鋰電池由(you)正極(ji)材料、負極(ji)材料、隔(ge)膜、電解液四大部分(fen)組成; 隔(ge)膜位于(yu)正負極(ji)之間,通(tong)常(chang)為多孔結構絕緣(yuan)薄(bo)膜,用于(yu)隔(ge)絕正負極(ji),并提(ti)供鋰離子遷移通(tong)道。 全固態電池沒(mei)有隔(ge)膜,采用疊片(pian)工藝(yi)層(ceng)疊正極(ji)、固態電解質、負極(ji),并通(tong)過(guo)等(deng)靜壓(ya)工藝(yi)確保界面緊密接觸。 這一(yi)過(guo)程(cheng)中,高(gao)壓(ya)壓(ya)合易導致極(ji)片(pian)邊緣(yuan)塌陷,引發短路風險;為解決(jue)該問題,目前技(ji)術方向是(shi)對極(ji)片(pian)做(zuo)絕緣(yuan)封裝,增(zeng)設膠框隔(ge)離。 二. UV打(da)印工藝(yi) 膠框印刷(shua)工藝(yi)主要分(fen)為絲網(wang)印刷(shua)、鋼網(wang)印刷(shua)、UV打(da)印、涂膠/點(dian)膠。 UV打(da)印憑借激光輔(fu)助的高(gao)精(jing)度和(he)自(zi)動化(hua)優勢,可實(shi)現
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德龍激光
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2025-09-07 16:13:13
固態電池硫化物路線:硫化鋰、電解質及固態廠商(shang)梳理
一(yi). 固(gu)(gu)態電(dian)池組成 固(gu)(gu)態電(dian)池是一(yi)種(zhong)以固(gu)(gu)態電(dian)解質替代(dai)傳(chuan)統電(dian)解液和隔(ge)膜(mo)的新型鋰(li)電(dian)池,具有(you)能量(liang)密度高、安(an)全性強、循環(huan)壽(shou)命長(chang)等優勢(shi),主要組成: (1)正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)材料:充電(dian)時(shi)鋰(li)離(li)子(zi)(zi)脫出(chu),放(fang)(fang)電(dian)時(shi)鋰(li)離(li)子(zi)(zi)嵌(qian)入;包括磷酸鐵鋰(li)、高鎳三(san)元、富鋰(li)錳基(ji)。 (2)負(fu)極(ji)(ji)材料:充電(dian)時(shi)儲存(cun)鋰(li)離(li)子(zi)(zi),放(fang)(fang)電(dian)時(shi)釋放(fang)(fang)鋰(li)離(li)子(zi)(zi);包括石墨負(fu)極(ji)(ji)、硅(gui)基(ji)負(fu)極(ji)(ji)、金屬鋰(li)負(fu)極(ji)(ji)。 (3)固(gu)(gu)態電(dian)解質:傳(chuan)導鋰(li)離(li)子(zi)(zi)并物(wu)理(li)隔(ge)絕(jue)正(zheng)(zheng)負(fu)極(ji)(ji);包括氧(yang)化(hua)物(wu)、硫(liu)化(hua)物(wu)、聚(ju)合物(wu)三(san)大路線。 (4)復合集流體:收集并傳(chuan)導電(dian)流;包括鋁(lv)箔(正(zheng)(zheng)極(ji)(ji))、銅(tong)箔(負(fu)極(ji)(ji))。 (5)封裝材料:隔(ge)絕(jue)水氧(yang)、保護電(dian)芯
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贛鋒鋰業
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2025-09-06 20:14:08
鋰電池電解液(ye):六(liu)氟磷酸鋰產業及個(ge)股梳(shu)理
前言:終端需求旺盛、行業新(xin)增產能(neng)有限,8月以來(lai),六(liu)氟(fu)(fu)磷(lin)(lin)酸(suan)鋰(li)(li)(li)(li)價格(ge)經歷兩輪上漲(zhang),從5萬元/噸漲(zhang)至5.8萬元/噸。 一. 電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)(ye)組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng) 鋰(li)(li)(li)(li)電(dian)(dian)池由正(zheng)極材料、負極材料、隔膜、電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)(ye)四大(da)核心材料組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)。 電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)(ye)是鋰(li)(li)(li)(li)離子(zi)傳輸介質,當電(dian)(dian)池充放(fang)電(dian)(dian)時,鋰(li)(li)(li)(li)離子(zi)通過電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)(ye)在正(zheng)負極之間遷(qian)移(yi),其主要組(zu)(zu)成(cheng)(cheng)(cheng)包括: (1)鋰(li)(li)(li)(li)鹽(yan):電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)(ye)的鋰(li)(li)(li)(li)離子(zi)來(lai)源,主流品種為(wei)六(liu)氟(fu)(fu)磷(lin)(lin)酸(suan)鋰(li)(li)(li)(li)(LiPF?)。 (2)溶劑(ji):負責溶解(jie)(jie)鋰(li)(li)(li)(li)鹽(yan),主流品種為(wei)碳酸(suan)酯類(lei)(EC/DMC/DEC)。 (3)添加劑(ji):優化電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)(ye)性能(neng),如(ru)成(cheng)(cheng)(cheng)膜劑(ji)、阻燃劑(ji)、過充保護添加劑(ji)。 二. 六(liu)氟(fu)(fu)磷(lin)(lin)
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天賜材料
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2025-09-05 20:22:35
第三(san)代(dai)半導體材料:碳(tan)化硅(gui)產(chan)業及供應格(ge)局梳理
前言:據外媒(mei)報道,為(wei)提升性能,英偉(wei)達擬將Rubin處(chu)理(li)器CoWoS中階層(ceng)材(cai)(cai)料(liao)替(ti)換為(wei)碳(tan)化硅襯(chen)底,臺積(ji)電(dian)(dian)正推(tui)進(jin)相關研發。 一(yi). 半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)(cai)料(liao) 半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)(cai)料(liao)是導(dao)電(dian)(dian)性能介于導(dao)體(ti)和絕緣體(ti)之間(jian)的(de)電(dian)(dian)子(zi)材(cai)(cai)料(liao),按代際劃分為(wei)三代: (1)第一(yi)代:硅、鍺(zang);工藝(yi)成熟、成本低(di)、適合規模(mo)(mo)量產,用(yong)于分立器件(jian)、集成電(dian)(dian)路(lu)(邏(luo)輯/模(mo)(mo)擬/存儲芯片)。 (2)第二代:砷化鎵(jia)(GaAs)、磷化銦(yin)(InP);光電(dian)(dian)性能卓越,用(yong)于射(she)頻器件(jian)、光通信器件(jian)。 (3)第三代:碳(tan)化硅(SiC)、氮化鎵(jia)(GaN);耐(nai)高溫、耐(nai)高壓、寬禁(jin)帶(dai),用(yong)于高頻電(dian)(dian)子(zi)器件(jian)。
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2025-09-04 20:43:19
固態電池封(feng)裝(zhuang)材料:鋁塑膜產業及(ji)個股(gu)梳理
一. 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)組成 固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)是(shi)一種以(yi)固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質(zhi)替代傳(chuan)統電(dian)(dian)(dian)解液和隔膜(mo)的(de)新型鋰(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi),具(ju)有(you)能量密度高、安全性(xing)強、循環壽命(ming)長等優勢,主要組成: (1)正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao):磷酸(suan)鐵鋰(li)、三元材(cai)(cai)料(liao)、富鋰(li)錳基。 (2)負極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao):石墨負極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、硅基負極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、金屬(shu)鋰(li)負極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。 (3)固(gu)態(tai)電(dian)(dian)(dian)解質(zhi):氧化(hua)物、硫化(hua)物、聚合物三大技術路線。 (4)復合集(ji)流體:鋁(lv)箔(bo)(正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))、銅箔(bo)(負極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))。 (5)封(feng)裝材(cai)(cai)料(liao):鋁(lv)塑膜(mo)(軟包電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi))、金屬(shu)殼(圓柱/方(fang)形(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi))。 二(er). 電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)封(feng)裝類型 鋰(li)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)根據封(feng)裝類型可分(fen)為(wei)軟包、圓柱、方(fang)形(xing)(xing)三大類;在動(dong)力電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)領域,方(fang)形(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)占比超(chao)
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伏白的交易筆記
買買買的機構
2025-09-03 20:50:43
海內外(wai)需求高增:電(dian)化學儲能產業及個(ge)股梳理
一(yi). 電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學(xue)儲能 電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學(xue)儲能是通過電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)實現電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能存(cun)儲與(yu)釋(shi)放的(de)(de)儲能技(ji)術,核心(xin)是利用(yong)(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)氧化(hua)還(huan)原反應實現電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能與(yu)化(hua)學(xue)能的(de)(de)相互轉換。 作(zuo)為(wei)當前發(fa)展最快(kuai)、應用(yong)(yong)(yong)最廣的(de)(de)儲能技(ji)術,其具(ju)有響應速(su)度(du)快(kuai)、能量(liang)密(mi)度(du)高(gao)、配置靈活、規模(mo)化(hua)潛(qian)力大等(deng)優勢。 1.1 作(zuo)用(yong)(yong)(yong) (1)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)網(wang)(wang)調(diao)峰(feng)調(diao)頻:用(yong)(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)高(gao)峰(feng)釋(shi)放電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能,用(yong)(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)低谷(gu)存(cun)儲電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能;快(kuai)速(su)充(chong)放電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)補償波動,維持(chi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)網(wang)(wang)頻率(lv)穩(wen)定。 (2)新能源(yuan)(yuan)消納:配套風電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)/光(guang)伏電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)站(zhan),發(fa)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)高(gao)峰(feng)存(cun)儲多余電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能,低谷(gu)釋(shi)放,平滑輸出。 (3)備(bei)用(yong)(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)與(yu)需(xu)求側響應:作(zuo)為(wei)戶(hu)用(yong)(yong)(yong)或工(gong)商業后(hou)備(bei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan),并(bing)可通過峰(feng)谷(gu)套利降低用(yong)(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)成本
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伏(fu)白(bai)的交易筆(bi)記
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2025-09-02 20:53:24
固態電池(chi)制備:設(she)備端增量(liang)環節及廠商(shang)梳理
一. 固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)池組成 固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)池是(shi)一種(zhong)以固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)解質替代傳統電(dian)解液和隔膜的(de)新型(xing)鋰電(dian)池,具有(you)能量(liang)密度高、安全性(xing)強、循(xun)環壽命長等優勢(shi),主要(yao)(yao)組成: (1)正(zheng)極(ji)(ji)材料(liao)(liao):磷酸鐵鋰、三元材料(liao)(liao)、富鋰錳基(ji)。 (2)負(fu)極(ji)(ji)材料(liao)(liao):石墨負(fu)極(ji)(ji)、硅基(ji)負(fu)極(ji)(ji)、金(jin)屬鋰負(fu)極(ji)(ji)。 (3)固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)解質:氧化(hua)(hua)物(wu)、硫(liu)化(hua)(hua)物(wu)、聚合(he)物(wu)三大路線。 (4)復合(he)集流體:正(zheng)極(ji)(ji)通常用(yong)鋁(lv)箔、負(fu)極(ji)(ji)通常用(yong)銅箔。 (5)封(feng)裝材料(liao)(liao):鋁(lv)塑膜(軟包(bao)電(dian)池)、金(jin)屬殼(圓柱/方形電(dian)池)。 二. 固(gu)(gu)(gu)態(tai)電(dian)池生產(chan)設備(bei) 主要(yao)(yao)步驟(zou):原材料(liao)(liao)預處(chu)理→部件制備(bei)→電(dian)芯組裝→電(dian)芯封(feng)裝→后處(chu)理(化(hua)(hua)成/分容)
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伏白的(de)交易筆記
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2025-09-01 21:48:12
谷歌Na-no Ba-n-a-na出圈:消費級3D打印產業(ye)及個股梳理
前言:谷歌近期推(tui)出(chu)AI圖像模(mo)(mo)型(xing)(xing)Nano Banana,可將傳統(tong)2D圖像重構為(wei)3D空間,為(wei)玩家(jia)創意落地提(ti)供靈活高(gao)效工(gong)具。 一(yi). 消費(fei)級(ji)3D打(da)印(yin)(yin) 3D打(da)印(yin)(yin)也稱為(wei)增材制(zhi)(zhi)造,是(shi)(shi)一(yi)種(zhong)以數字模(mo)(mo)型(xing)(xing)為(wei)基(ji)礎,通過逐層添加材料、分層制(zhi)(zhi)造的(de)(de)方(fang)式來構建三維(wei)物體的(de)(de)技(ji)術。 消費(fei)級(ji)3D打(da)印(yin)(yin)主要面(mian)向個人用戶、小型(xing)(xing)工(gong)作室,廣泛應(ying)用于手(shou)辦潮玩、家(jia)居(ju)裝飾、教學模(mo)(mo)型(xing)(xing)等領域。 其核心(xin)特點是(shi)(shi)低成(cheng)(cheng)本、易操作和個性化定制(zhi)(zhi),與工(gong)業級(ji)3D打(da)印(yin)(yin)的(de)(de)大(da)尺寸、高(gao)精(jing)度、高(gao)成(cheng)(cheng)本形成(cheng)(cheng)鮮明區別。 二(er). 主流(liu)技(ji)術分類 2.1 FDM(熔融(rong)沉(chen)積成(cheng)(cheng)型(xing)(xing)) (1)特點:最(zui)
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伏白(bai)的(de)交易筆記
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2025-08-31 19:32:59
阿(a)里巴(ba)巴(ba)芯片板塊:平頭哥、達(da)摩院(yuan)合作商梳(shu)理
前(qian)言:據外媒(mei)報道,阿(a)(a)里(li)巴(ba)巴(ba)正開(kai)發一款(kuan)新的AI芯片,目(mu)前(qian)已進(jin)入測試階段;該芯片主要用于AI推理任(ren)務(wu),并由國內企業代(dai)工。 一. 平頭哥半(ban)導體(ti)(ti) 1.1 基本介紹 平頭哥成立于2018年(nian),為阿(a)(a)里(li)旗下全(quan)資子(zi)公司,其整合了(le)中(zhong)天微系統和達摩院芯片團隊,專注于高性能芯片研發與(yu)商(shang)業化。 1.2 芯片產品 (1)含光800:AI推理芯片,采(cai)用臺積(ji)電12nm工藝(yi)+170億晶體(ti)(ti)管數(shu)量(liang),INT8算(suan)力825TOPS,通過阿(a)(a)里(li)云提供云端算(suan)力服務(wu)。 (2)倚(yi)天710:云端服務(wu)器CPU,采(cai)用臺積(ji)電工藝(yi)+600億晶體(ti)(ti)管數(shu)量(liang)+128
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伏白(bai)的交易筆記
買買買的機構
2025-08-30 20:13:12
英(ying)偉達算力(li)芯(xin)片(pian)分類:國內對(dui)標廠商梳理
一. 英偉達(da)消費(fei)級GPU 1.1 代表(biao)型號(GeForce系(xi)列) (1)RTX 40系(xi)列:采(cai)用(yong)Ada Lovelace架(jia)構、臺積電4N工(gong)藝+760億晶體(ti)管數量(liang)、FP32算力83TFLOPS。 (2)RTX 50系(xi)列:采(cai)用(yong)Blackwell架(jia)構、臺積電4NP工(gong)藝+920億晶體(ti)管數量(liang)、FP32算力100 TFLOPS。 1.2 應用(yong)場(chang)景(jing) 游戲(xi)及輕量(liang)級AI應用(yong),如4K/8K游戲(xi)、3D渲染、AI繪圖(tu)。 1.3 國內對標 摩爾線程(MTT S80)、礪算科技(7G106/東芯股份(fen))、景(jing)嘉(jia)微(JM9)、天數
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伏(fu)白的(de)交易筆記
買買買的機構
2025-08-28 21:40:31
功率(lv)半導體:MOSFET/IGBT供應格(ge)局(ju)梳理
一. 功(gong)率半(ban)導(dao)(dao)體(ti) 功(gong)率半(ban)導(dao)(dao)體(ti)是用(yong)于電(dian)能轉(zhuan)換、控(kong)制(zhi)和保護的半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器件,用(yong)于高電(dian)壓(ya)、大電(dian)流(liu)場景,是電(dian)力電(dian)子系統(tong)的核心。 1.1 作(zuo)用(yong) (1)電(dian)能轉(zhuan)換:AC-DC(交(jiao)(jiao)流(liu)轉(zhuan)直流(liu))、DC-DC(直流(liu)轉(zhuan)直流(liu))、DC-AC(直流(liu)轉(zhuan)交(jiao)(jiao)流(liu))、AC-AC(交(jiao)(jiao)流(liu)轉(zhuan)交(jiao)(jiao)流(liu))。 (2)電(dian)能控(kong)制(zhi):通(tong)過(guo)控(kong)制(zhi)器件的導(dao)(dao)通(tong)/關(guan)斷(duan)狀態,實現(xian)對電(dian)壓(ya)、電(dian)流(liu)、頻率的精準調(diao)控(kong)。 (3)電(dian)路(lu)保護:電(dian)路(lu)出現(xian)異常(如(ru)過(guo)流(liu)/過(guo)壓(ya)/短路(lu))時(shi),可快速關(guan)斷(duan),防(fang)止設備(bei)損壞(huai)。 1.2 分(fen)類 (1)一代:二極管(低壓(ya)領域)、晶(jing)閘管(高壓(ya)領域);由簡(jian)單的PN結組成
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伏白(bai)的交易(yi)筆記(ji)
買買買的機構
2025-08-27 20:10:27
受益端(duan)側AI放(fang)量:無線通信模(mo)組廠商梳理
一(yi). 無(wu)線通(tong)信模組 無(wu)線通(tong)信模組是一(yi)種標(biao)準化(hua)硬件(jian)模塊(kuai)(kuai),通(tong)過集成(cheng)通(tong)信芯片(pian)(pian)、存(cun)(cun)儲(chu)單(dan)(dan)元、接口(kou)等(deng)關鍵組件(jian),為終端(duan)設備提(ti)供標(biao)準化(hua)的(de)無(wu)線數據(ju)傳輸能力。 1.1 核心組成(cheng) (1)基(ji)帶芯片(pian)(pian):負責信號編解(jie)碼、協議棧處理(如TCP/IP、MQTT)。 (2)射頻芯片(pian)(pian):實(shi)現(xian)無(wu)線信號收(shou)發與功(gong)率放大,包(bao)括PA、濾(lv)波器。 (3)存(cun)(cun)儲(chu)單(dan)(dan)元:存(cun)(cun)儲(chu)協議棧與臨時數據(ju),包(bao)括Flash(程序存(cun)(cun)儲(chu))、RAM(數據(ju)緩存(cun)(cun))。 (4)電(dian)源管理模塊(kuai)(kuai):提(ti)供穩(wen)定電(dian)壓,并優化(hua)功(gong)耗(hao)。 (5)接口(kou)單(dan)(dan)元:提(ti)供UART、SPI、I2C等(deng)接口(kou),便于與主控芯片(pian)(pian)(
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伏白的交易(yi)筆記
買買買的機構
2025-08-26 21:14:28
手機(ji)屏幕抗反射涂層:超硬(ying)AR鍍膜(mo)廠商梳理(li)
前言(yan):據外媒報道,蘋果(guo)公司即將發布的(de)iPhone 17 Pro/Pro Max將首(shou)次搭載超硬(ying)AR鍍膜。 一(yi). 超硬(ying)AR鍍膜概覽 超硬(ying)AR鍍膜是(shi)(shi)一(yi)種通(tong)(tong)過多層納米級(ji)光(guang)學(xue)薄膜干涉技術(shu)實現的(de)表面處理技術(shu),目(mu)標是(shi)(shi)減少反射、提升(sheng)(sheng)透光(guang)率,同(tong)時增強材料硬(ying)度(du)和耐磨性(xing)。 1.1 性(xing)能優(you)勢 (1)光(guang)學(xue)性(xing)能:反射率從(cong)普通(tong)(tong)玻(bo)璃(li)的(de)4%降至1%以(yi)(yi)下,透光(guang)率從(cong)92%提升(sheng)(sheng)至98%,強光(guang)環(huan)境下可視性(xing)提升(sheng)(sheng)3倍。 (2)機械(xie)性(xing)能:莫(mo)氏硬(ying)度(du)從(cong)普通(tong)(tong)玻(bo)璃(li)的(de)5-6級(ji)提升(sheng)(sheng)至7-9級(ji),抗(kang)刮性(xing)提升(sheng)(sheng)50%以(yi)(yi)上,可抵御日(ri)常磨損。 1.2 組(zu)成(cheng)結構(多層
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